Подразделение контрактного производства микросхем Intel Foundry продемонстрировало технологию создания чиплета на базе нитрида галлия (GaN), сформированного на 300-миллиметровой кремниевой пластине. Толщина базового слоя кремния в новой конструкции не превышает 19 микрометров, что составляет примерно одну пятую ширины человеческого волоса. Инженерам удалось объединить силовые транзисторы из нитрида галлия с традиционными кремниевыми логическими схемами в рамках одного кристалла, отказавшись от раздельных вспомогательных микросхем. Эта разработка была представлена научному сообществу на конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) в 2025 году.
До сих пор нитрид галлия применялся в основном в силовой электронике и высокочастотных устройствах, но редко смешивался с вычислительными блоками из-за сложностей интеграции. Новый подход предполагает использование цельной монолитной схемы с цифровым управлением, что сокращает потери энергии при передаче сигналов между компонентами. Исследователи подтвердили, что платформа прошла всесторонние испытания на надежность, что приближает технологию к коммерческому внедрению в производство реальных устройств.
По сравнению с классическими кремниевыми чипами на комплементарной структуре металл-оксид-полупроводник (CMOS), решение на нитриде галлия обеспечивает более высокую плотность мощности. Это позволяет создавать более компактные системы при сохранении или увеличении производительности, что критически важно для центров обработки данных, электромобилей и беспроводных базовых станций. Кремний начинает теряет надежность при температуре перехода около 150 градусов Цельсия. Нитрид галлия обладает более широкой запрещенной зоной, что дает ему возможность стабильно работать при более высоких температурах и сокращает потери при переключении.
В центрах обработки данных более быстрые GaN-чиплеты с низкими потерями энергии позволят создавать регуляторы напряжения меньшего размера. Такие компоненты можно размещать ближе к процессору, сокращая сопротивление и потери на длинных линиях питания. В сфере беспроводной инфраструктуры высокочастотные свойства нитрида галлия обеспечивают эффективную работу на частотах свыше 200 гигагерц. Это делает технологию востребованной для радиочастотных оконечных устройств в системах связи 5G и 6G, работающих в сантиметровом и миллиметровом диапазонах. Кроме того, быстрая электрическая коммутация на основе GaN подходит для радиолокационных станций, спутниковой связи и фотонных применений, где требуется модуляция световых сигналов.
Подразделение контрактного производства микросхем Intel Foundry продемонстрировало технологию создания чиплета на базе нитрида галлия (GaN), сформированного на 300-миллиметровой кремниевой пластине. Толщина базового слоя кремния в новой конструкции не превышает 19 микрометров, что составляет примерно одну пятую ширины человеческого волоса. Инженерам удалось объединить силовые транзисторы из нитрида галлия с традиционными кремниевыми логическими схемами в рамках одного кристалла, отказавшись от раздельных вспомогательных микросхем. Эта разработка была представлена научному сообществу на конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) в 2025 году.
Подразделение контрактного производства микросхем Intel Foundry продемонстрировало технологию создания чиплета на базе нитрида галлия (GaN), сформированного на 300-миллиметровой кремниевой пластине. Толщина базового слоя кремния в новой конструкции не превышает 19 микрометров, что составляет примерно одну пятую ширины человеческого волоса. Инженерам удалось объединить силовые транзисторы из нитрида галлия с традиционными кремниевыми логическими схемами в рамках одного кристалла, отказавшись от раздельных вспомогательных микросхем. Эта разработка была представлена научному сообществу на конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) в 2025 году.
