Корпорация Intel представила на симпозиуме VLSI 2026 в Гонолулу усовершенствованный вариант своего передового технологического процесса 18A, получивший обозначение 18A-P. Эта версия не является традиционным переходом к новому поколению литографии с уменьшением транзисторов, а представляет собой оптимизированную модификацию существующей платформы, нацеленную на улучшение энергетических и частотных характеристик без изменения плотности компоновки элементов. Достигнутые показатели для подобного рода доработки выглядят необычно высокими: инженерам удалось добиться увеличения производительности на девять процентов при сохранении прежнего уровня потребления или сократить расход электроэнергии на восемнадцать процентов при равной вычислительной мощности по сравнению со стандартным техпроцессом 18A.
Повышение эксплуатационных параметров обеспечивается за счёт четырёх основных технических нововведений. Производственная платформа получила дополнительные пары логических пороговых напряжений (логических VT), что расширяет гибкость проектирования цифровых блоков. В библиотеки стандартных ячеек высокой плотности (HD) и высокой производительности (HP) добавлены новые маломощные компоненты, а также модернизированные версии высокопроизводительных элементов. Кроме того, улучшена эффективность межсоединений за счёт оптимизации конструкции и методов проектирования (DTCO). Важным достижением стало сокращение разброса характеристик между отдельными транзисторами, так называемого skew corners, примерно на тридцать процентов, что позволило заметно повысить параметрический выход годных кристаллов и сделать поведение чипов более предсказуемым.
При этом все улучшения достигнуты без изменения топологии и плотности расположения транзисторов, которая осталась на уровне базовой версии 18A. Иными словами, заказчики, разрабатывающие свои изделия под стандартный 18A, смогут перейти на 18A-P с минимальными затратами на перенастройку производства. Данная особенность делает новую модификацию особенно привлекательной для внешних клиентов литейного подразделения Intel Foundry, которые получат существенный прирост производительности и энергоэффективности, не меняя уже утверждённую разводку кристалла.
Одновременно с улучшением электрических параметров удалось снизить тепловое сопротивление (thermal resistance) примерно на пятьдесят процентов по сравнению с исходной версией 18A. Этот фактор приобретает особое значение в контексте использования технологии обратной подачи питания PowerVia, которая, хотя и увеличивает плотность размещения элементов, создаёт дополнительные вызовы в части отвода тепла. Улучшение теплопроводности сделает 18A-P более пригодным для работы в системах с высоким уровнем энерговыделения, включая серверные ускорители и графические процессоры.
Компания уже передала заинтересованным заказчикам версию 1.0 пакета PDK (Process Design Kit), необходимого для начала проектирования тестовых чипов. По имеющейся информации, два клиента (вероятно, внутренние подразделения Intel) уже завершили стадию tape-out для 18A-P, а первые экспериментальные пластины были получены на фабриках корпорации ранее. Согласно дорожной карте, массовое использование этой технологии ожидается начиная с 2026 года.
Слухи о потенциальных крупных заказчиках этой технологии уже появились в отраслевых СМИ. Со ссылкой на данные TrendForce сообщается, что компания Apple рассматривает возможность применения техпроцесса 18A-P для выпуска своих будущих процессоров серии M. В свою очередь, Google изучает вариант использования передовой упаковки EMIB от Intel в сочетании с новым техпроцессом для создания ускорителей TPU v8e. При благоприятном стечении обстоятельств коммерческие продукты с использованием 18A-P могут появиться на рынке не ранее 2027 года.
Важно отметить, что 18A-P является лишь промежуточным этапом на долгосрочной траектории развития производственных мощностей Intel. Следующей модификацией станет платформа 18A-PT, которая, помимо всех улучшений предыдущей версии, получит поддержку сквозных кремниевых переходов (TSV) и технологии гибридной сборки Foveros Direct 3D с шагом межсоединений менее пяти микрон. Это позволит создавать полноценные трёхмерные компоновки, размещая SRAM-кэш или другие функциональные блоки непосредственно поверх вычислительных ядер. Появление 18A-PT намечено на 2028 год, а следом за ним в 2027-2028 годах должна последовать полноценная смена поколения с переходом на литографию Intel 14A с использованием более жёсткого ультрафиолетового излучения High-NA EUV, что даст очередное улучшение плотности и энергоэффективности.
