Анонсирована самая высокоскоростная в мире карта памяти UHS-I

В рамках Всемирного мобильного конгресса компания WD представила самую высокоскоростную карту UHS-I в мире – 400GB SanDisk Extreme UHS-I microSDXC, а также устройства с поддержкой интерфейса Peripheral Component Interconnect Express (PCIe), которые предназначены для удовлетворения растущих требований к накопителям с появлением приложений нового поколения, интенсивно работающих с данными и контентом.

Представленная компанией новая microSD карта памяти SanDisk Extreme UHS-I емкостью 400 ГБ позволит потребителям перемещать контент высокого разрешения быстрее, чем когда-либо. Поддерживая скорости до 160МБ/с*, новая карта работает на 50% быстрее microSD карты SanDisk Extreme UHS-I нынешнего поколения. Новинка позволяет добиваться непревзойденно высоких скоростей благодаря использованию фирменной технологии Western Digital. Устройство будет соответствовать спецификациям A2, что позволит запускать и загружать приложения с невероятной скоростью.

Кроме того, Western Digital представляет новую платформу, которая будет использоваться в картах флеш-памяти будущего и демонстрирует SD-карту с поддержкой PCIe. В преддверии новых требований к высокой производительности мобильных вычислений, внедрение технологии PCIe позволит реализовать возможность чтения файлов быстрее, чем это возможно на современных платформах. Благодаря обширному портфолио решений компания Western Digital может продемонстрировать возможности этой технологии для повышения производительности SD карт. Высокие скорости работы карт памяти необходимы для приложений, которые используют контент в высоком разрешении, например: для создания сверхмедленного видео, записи RAW файлов в режиме длинной очереди (continuous burst), а также для записи и воспроизведения видео в формате 8K. Ранее, интерфейс PCIe традиционно считался уделом лишь высокопроизводительных систем в центрах обработки данных, где спецификации стандарта single-lane PCIe Gen 3.0 подразумевают возможную скорость передачи данных до 985МБ/с2.

 

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *