Два ведущих китайских производителя полупроводниковой продукции, YMTC и CXMT, объявили о совместной разработке высокопропускной памяти HBM. Партнерство направлено на создание собственных решений для удовлетворения растущего спроса на память данного типа. YMTC, известный производством NAND-памяти, планирует начать выпуск DRAM с использованием технологии Xtacking.
Технология Xtacking, признанная экспертами одной из наиболее совершенных методик гибридного соединения, может стать ключевым преимуществом при производстве HBM. Эта технология позволяет точно соединять как минимум 16 чипов памяти, что критически важно для высокопропускной памяти. CXMT со своей стороны уже освоил производство HBM2 и наращивает объемы выпуска DRAM-пластин.
Планы компаний включают увеличение производства до 2,73 миллиона пластин в 2025 году против 1,62 миллиона в текущем году. CXMT работает над сертификацией HBM3 и планирует начать производство HBM3E в течение двух лет. Технологическая кооперация позволяет объединить экспертизу YMTC в области соединения чипов с производственными мощностями CXMT.
Развитие упаковочных и сборочных мощностей поддерживается компаниями Wuhan Xinxin и Tongfu Microelectronics. Успех совместного предприятия может привести к появлению на мировом рынке HBM китайского производства, включая возможные поставки западным клиентам. Что в перспективе должно привести к удешевлению памяти нового типа и устройств с ней.
