Компания SK hynix разработала новые чипы памяти стандарта DDR5 с номинальной скоростью 7200 мегатрансфер в секунду. Эти чипы превосходят текущий отраслевой стандарт JEDEC, который устанавливает максимальную скорость на уровне 6400 мегатрансфер в секунду. В процесс создания модулей вошли четыре новых кристалла с индексами B-die и M-die и плотностью от 2 до 4 гигабайт.
Информация о новинках стала доступна после появления списка товаров на сайте китайского ритейлера JD.com, который обнаружил аккаунт @unikoshardware. В списке фигурируют модули памяти SK hynix с артикулами, которые ранее не встречались на рынке. Все четыре новых чипа имеют суффикс «KB» в маркировке, что указывает на их способность работать на скорости 7200 мегатрансфер в секунду. Среди них находится первый для компании кристалл B-die плотностью 2 ГБ, а также кристалл M-die плотностью 4 ГБ, который впервые используют для такого объема памяти на данном технологическом процессе.
На прошлой неделе уже поступали сообщения о следующем поколении чипов DDR5 от SK hynix, которые используют кристаллы A-die объемом 3 ГБ. Тестовые образцы таких модулей применяют печатные платы с восемью слоями. Для полного раскрытия потенциала новых чипов производителям модулей памяти, вероятно, потребуются платы с десятью или двенадцатью слоями. Увеличение количества слоев в печатной плате улучшает целостность сигналов, что становится особенно важным при разгоне памяти за пределы номинальных характеристик.
Обнаруженные на торговой площадке модули, скорее всего, являются ранними инженерными образцами. Ожидают, что финальные версии продуктов для розничной продажи получат усовершенствованные конструкции, когда компания начнет массовое производство. Официального анонса со стороны SK hynix пока не последовало, но наличие списков в открытом доступе свидетельствует о активной стадии разработки и подготовки к выходу на рынок.
