Компания Western Digital объявила об успешном завершении разработки технологического процесса пятого поколения для производства памяти 3D NAND. Технология получила название BiCS5 и закрепила лидирующие позиции компании в производстве передовых флеш-накопителей.
Благодаря использованию в процессе BiCS5 трехуровневых (TLC) и четырехуровневых (QLC) ячеек обеспечивается не только конкурентная цена, но и исключительно высокая емкость, производительность и надежность.
В BiCS5 использован широкий спектр новых решений, что позволяет обеспечивать самую высокую плотность в линейке Western Digital и делает данный процесс самой продвинутой технологией 3D NAND в компании. Горизонтальная плотность массива ячеек была существенно увеличена за счет использования многоуровневой технологии «memory hole» второго поколения, внедрения усовершенствованного производственного процесса и проведения ряда улучшений самих ячеек памяти 3D NAND. «Горизонтальное масштабирование» и 112 слоев хранения в BiCS5 позволяют не только оптимизировать затраты, но и создать до 40% больше битов для хранения в расчете на полупроводниковую пластину по сравнению с 96-слойной технологией Western Digital BiCS4. Усовершенствование конструкции также увеличивает скорость работы, и за счет этого технология BiCS5 дает повышение производительности до 50% на задачах ввода/вывода по сравнению с BiCS4.
Western Digital уже начала опытно-промышленное производство 512-гигабитных (Гбит) чипов по технологии BiCS5 TLC. Изготовленная с использованием новой технологии продукция уже отгружается потребителям. Ожидается, что масштабное коммерческое производство по процессу BiCS5 начнется во второй половине 2020 года. Память BiCS5 TLC и BiCS5 QLC будет доступна с различной емкостью, включая 1,33 терабит (Тбит).
Процесс BiCS5 был разработан совместно с Kioxia Corporation – технологическим и производственным партнером. Изготовление продукции по новой технологии будет развернуто на производствах в Японии в городе Йоккаити, префектура Миэ, и в городе Китаками, префектура Иватэ.
