Компания Micron объявила о начале поставок своей TLC NAND девятого поколения (G9) в твердотельные накопители (SSD), став первой компанией в отрасли, достигшей этого рубежа. Новая NAND Micron G9 обладает лучшими на сегодня характеристиками в отрасли.
Главной особенностью NAND Micron G9 является рекордная скорость передачи данных — 3,6 ГБ/с, что превосходит возможности любой NAND, доступной в настоящее время на рынке. Это на 50 % выше, чем у любой NAND, поставляемой в настоящее время в SSD. Кроме того, новая память обеспечивает на 99 % более высокую пропускную способность при записи и на 88 % более высокую пропускную способность при чтении в расчете на один кристалл, чем существующие на данный момент конкурентные решения NAND.
Такой прирост производительности на уровне каждого элемента приводит к значительному повышению производительности и энергоэффективности при интеграции в твердотельные накопители и встроенные решения NAND. Кроме того, компании Micron удалось сохранить компактный размер корпуса G9 NAND — 11,5 мм x 13,5 мм, что на 28 % меньше, чем у конкурирующих продуктов, что обеспечивает максимальную гибкость конструкции для различных вариантов использования.
Твердотельный накопитель Micron 2650 NVMe, в который интегрирована передовая TLC NAND G9, разработан для обеспечения лучших в своем классе пользовательских возможностей при повседневных вычислениях. В тестах PCMark 10 твердотельный накопитель Micron 2650 показал превосходство над конкурирующими решениями, набрав до 38 % больше баллов.
Твердотельный накопитель Micron 2650 NVMe также отличается лучшей в своем классе надежностью и ускоренным кэшированием, повышающим производительность, благодаря динамическому SLC-кэшу. Накопитель способен обеспечить скорость последовательного чтения до 7 000 МБ/с, что свидетельствует о возможностях NAND G9.
