Американская корпорация Intel и японская дочерняя компания SoftBank Saimemory договорились о совместной разработке памяти нового поколения под названием Z-Angle Memory (ZAM). Эта технология представляет собой многослойную вертикальную архитектуру DRAM, призванную превзойти существующие решения HBM. Основной целью альянса является создание модулей с повышенной емкостью и пропускной способностью при значительном снижении энергопотребления.
Соглашение между компаниями было подписано 2 февраля 2026 года. Официальный пресс-релиз по этому поводу появился днем позже. Согласно ему, компания Saimemory, созданная SoftBank в декабре 2024 года специально для коммерциализации передовых технологий памяти, возьмет на себя ведущую роль в разработке и выводе продукции на рынок. Intel же выступит в роли технологического партнера, предоставляя экспертизу, ноу-хау в области упаковки и поддержку в вопросах стандартизации. Со стороны Японии в проекте также участвует технологическая компания Fujitsu.
Технической основой для ZAM станет разработка Intel под названием Next Generation DRAM Bonding (NGDB). Эта технология была частью американской правительственной программы Advanced Memory Technology (AMT), которую курировало Министерство энергетики США совместно с Национальной администрацией по ядерной безопасности. Программа реализовывалась через национальные лаборатории Сандия, Лоуренса Ливермора и Лос-Аламоса. В рамках NGDB инженеры Intel сосредоточились на методах сборки и новой архитектуре, которые позволяют повысить плотность и производительность памяти DRAM, одновременно снижая задержки и энергопотребление. Лаборатория Сандия подтвердила, что тестовые сборки на базе NGDB демонстрируют работоспособность концепции.
Название Z-Angle Memory отсылает к оси Z в трехмерной системе координат, что прямо указывает на вертикальное наслоение кристаллов памяти. В существующих прототипах на базовом кристалле размещены восемь ярусов памяти DRAM. В отличие от классической памяти HBM, новый подход Intel и Saimemory, по заявлениям, ставит целью преодолеть ключевые компромиссы между пропускной способностью, емкостью и энергоэффективностью. Аналитики ожидают, что готовые продукты могут предложить емкость в два-три раза выше, чем у современных решений HBM, при этом потребляя на 40-50% меньше энергии. Себестоимость производства планируется удерживать на уровне HBM или даже ниже.
Ключевой движущей силой для такого партнерства стал взрывной рост спроса на вычислительные ресурсы для искусственного интеллекта. Существующие архитектуры памяти часто становятся узким местом при масштабировании больших ИИ-систем. Параллельно растет озабоченность огромным энергопотреблением дата-центров, занимающихся тренировкой и запуском нейросетей, что делает энергоэффективность одним из главных приоритетов. Сотрудничество Intel и SoftBank также происходит на фоне глобального дефицита чипов памяти и роста цен на них, что стало серьезным вызовом для всей технологической отрасли.
Соглашение предусматривает четкие временные рамки. Совместные работы официально стартуют в первом квартале 2026 года. Ожидается, что первые прототипы ZAM появятся в 2027 календарном году или к концу финансового года, завершающегося 31 марта 2028 года. Массовое коммерческое производство новой памяти намечено на 2029 финансовый год или, по некоторым оценкам, на 2030 год. Для финансирования разработок SoftBank планирует инвестировать в проект примерно 3 миллиарда иен.
Рынок с интересом отреагировал на объявление о партнерстве. Акции SoftBank на торгах в Токио 3 февраля подорожали более чем на 5%. Стоимость бумаг Intel после анонса также продемонстрировала рост. Это соглашение знаменует собой возвращение Intel в сегмент DRAM-памяти, откуда компания ушла в 1985 году после периода убытков, хотя в 1970-х именно Intel выпустила первый в мире коммерчески успешный чип DRAM.
Партнерство укрепляет технологические связи между США и Японией в стратегически важной области передовых полупроводников. Для Японии это шаг к созданию собственных передовых технологий и усилению глобальной конкурентоспособности. Новизна подхода ZAM может создать альтернативу текущему технологическому пути развития высокопроизводительной памяти, который в значительной степени определяют корейские производители, доминирующие на рынке HBM. Успех проекта способен изменить ландшафт отрасли, предложив более энергоэффективные решения не только для крупных дата-центров, но и для периферийных вычислений и серверов малой и средней мощности.
