Южнокорейская компания Samsung Electronics приступила к массовому выпуску микросхем высокоскоростной памяти HBM4 и отгрузке коммерческих партий заказчикам. Данное событие знаменует переход отрасли от опытных образцов к промышленному масштабированию памяти четвертого поколения, необходимой для ускорителей вычислений искусственного интеллекта. Предприятие использует для производства базовые кристаллы DRAM шестого поколения класса 10 нм (1c), что позволило достичь приемлемого уровня выхода годных изделий без внесения изменений в конструкцию на старте серийного цикла.
Технические параметры изделия определены под задачи обработки больших языковых моделей. Установившаяся скорость передачи данных по каждой линии ввода-вывода составляет 11,7 гигабит в секунду, что на 46 процентов выше отраслевого стандарта, установленного организацией JEDEC на отметке 8 Гбит/с, и на 22 процента превосходит максимальные показатели предшествующего поколения HBM3E. В пиковых режимах пропускная способность интерфейса способна достигать 13 гигабит в секунду. Полная пропускная способность одного стека памяти увеличена в 2,7 раза по сравнению с решениями третьего поколения и доходит до 3,3 терабайт в секунду.
Компанией освоена сборка двенадцатиярусных пакетов с диапазоном емкости от 24 до 36 гигабайт. В производственных планах значится переход на шестнадцатиярусную компоновку, что позволит нарастить объем одного стека до 48 гигабайт. Удвоение количества контактов ввода-вывода до 2048 потребовало изменений в схемотехнике базового кристалла. Внедрение низковольтных сквозных кремниевых переходов и оптимизация сети распределения питания снизили энергопотребление на 40 процентов относительно HBM3E. Тепловое сопротивление памяти уменьшено на десять процентов, показатель рассеивания тепла улучшен на тридцать процентов.
Основным потребителем новых изделий, предположительно, станет корпорация Nvidia, готовящая к выпуску во втором квартале 2026 года платформу Vera Rubin. Данная платформа комплектуется ускорителями вычислений, для функционирования которых требуются контроллеры, совместимые со спецификациями HBM4. Samsung обладает технологическим отличием в производственной цепочке: изготовление логического кристалла-основания осуществляется на собственных четырехнанометровых мощностях. SK Hynix для аналогичных операций привлекает контрактные ресурсы Taiwan Semiconductor Manufacturing Company.
Корпоративный прогноз Samsung предполагает кратный рост отгрузок. Ожидается, что в 2026 году совокупный объем реализации всех типов HBM увеличится более чем в три раза по сравнению с предшествующим 2025 годом. Для обеспечения наращивания объемов выпуска расширяются производственные линии на площадке в Пхёнтхэке. Ежемесячный объем загрузочных пластин под выпуск памяти 1c DRAM, предназначенной для HBM4, приблизится к 200 тысячам штук, что составит около четверти всех мощностей компании по направлению DRAM .
Технологическая дорожная карта производителя предполагает поступательное развитие линейки. Инженерные образцы усовершенствованной версии HBM4E начнут поступать партнерам для ознакомления во втором полугодии 2026 года. Поставки нестандартизированных изделий, выполненных под спецификации конкретных заказчиков, запланированы на 2027 год. Решение о прямом переходе на передовые литографические нормы на начальном этапе жизненного цикла продукта позволило создать запас по производительности для последующих модификаций .
