Компании Quinas Technology и IQE plc объявили о переходе памяти ULTRARAM к этапу пробного производства. Технология разработана для совмещения скоростных характеристик оперативной памяти со свойствами энергонезависимости флеш-памяти. Партнеры преодолели ключевой технологический барьер в создании эпитаксиальных слоев для этой памяти.
В основе памяти ULTRARAM лежит принцип резонансного туннелирования в тонких слоях антимонида галлия и антимонида алюминия. Инженеры добились атомарного контроля при формировании этих структур, что позволяет применять стандартные методы фотолитографии и травления. Лабораторные испытания демонстрируют высокую скорость переключения ячеек, низкое энергопотребление и время хранения данных, исчисляемое годами.
Технология развивается при поддержке финансирования от Innovate UK и обладает защищенной интеллектуальной собственностью. Компании ведут переговоры с полупроводниковыми производствами о запуске пробных партий кремниевых пластин и готовых чипов. Для успешного вывода технологии на рынок потребуются надежные цепочки поставок, оптимизация производственного выхода годных кристаллов и интеграция в существующие архитектуры.
Разработка происходит в контексте растущих требований к энергоэффективности вычислительных систем. Современные центры обработки данных потребляют значительные объемы энергии на поддержание работы DRAM-памяти. Технологии энергонезависимой памяти, такие как 3D XPoint, ранее пытались занять эту нишу, но не смогли полностью вытеснить DRAM из-за компромиссов в производительности.
ULTRARAM использует материалы III-V группы, которые обычно применяются в фотонике и высокочастотной электронике. Это создает дополнительные сложности с интеграцией в кремниевые техпроцессы, но открывает перспективу для создания универсального типа памяти. Такой подход может привести к архитектурным изменениям в проектировании вычислительных систем.
Пилотные запуски должны продемонстрировать возможность воспроизведения лабораторных параметров памяти в промышленных масштабах. Успех проекта будет зависеть от способности партнеров наладить массовое производство структур с атомарной точностью и обеспечить конкурентную стоимость готовых чипов.
