Компания Samsung раскрыла планы по выпуску твердотельных накопителей рекордной емкости на технологическом форуме в Шэньчжэне. Накопитель PM1763 стандарта PCIe Gen 6 должен поступить на рынок в начале 2026 года с сохранением энергопотребления на уровне 25 Вт. Вслед за моделью на 256 ТБ в 2026 году компания планирует представить версию на 512 ТБ около 2027 года в форм-факторе 1T EDSFF.
Технические характеристики новых устройств включают поддержку интерфейсов CXL 3.1 и PCIe 6.0, что обеспечивает двукратное увеличение производительности по сравнению с предыдущим поколением. Для достижения таких показателей инженеры полностью переработали компоновку конденсаторов, контроллера и модулей DRAM, уделив особое внимание оптимизации систем охлаждения. Энергоэффективность сохраняется на прежнем уровне благодаря использованию новых архитектурных решений.
Прототип накопителя емкостью 256 ТБ впервые продемонстрировали в 2023 году, а на выставке Future of Memory Storage в августе 2025 года показали почти готовую к серийному производству версию. Окончательные сроки выхода продуктов могут корректироваться по мере решения инженерных задач, связанных с тепловыделением и энергопотреблением. Производитель также анонсировал выпуск памяти седьмого поколения Z-NAND с технологией GIDS, запланированный на 2026 год.
Мировой объем данных к 2025 году достигнет 200 зеттабайт, причем 80% этой информации составит неструктурированный контент. Такие масштабы порождают спрос на системы хранения с высокой пропускной способностью и минимальной задержкой, особенно в сферах искусственного интеллекта и облачных вычислений. Традиционные архитектуры памяти сталкиваются с растущими проблемами пропускной способности и масштабируемости.
Технология CXL (Compute Express Link) становится ключевым решением для преодоления этих ограничений. Она обеспечивает высокоскоростное соединение между процессором и специализированными устройствами, позволяя создавать пулы памяти с динамическим распределением ресурсов. Отраслевые эксперты отмечают, что CXL открывает путь к созданию гетерогенных memory-архитектур с разделяемыми ресурсами.
