Компания SK Hynix дополнила линейку потребительских твердотельных накопителей моделью PVF01 в форм-факторе M.2 2230, использующей интерфейс PCIe Gen5 x4. Новинка базируется на 321-слойной флэш-памяти V9 NAND, организованной по схеме TLC (три бита на ячейку), и доступна в вариантах ёмкостью 512 гигабайт и один терабайт. Показ устройства состоялся в рамках глобального саммита Dell Technologies 2026, где компания также представила корпоративные накопители PEB210 на той же технологической платформе.
Технология 321-слойной памяти V9 NAND представляет собой четвёртое поколение фирменной разработки 4D NAND. По сравнению с предшествующей 238-слойной памятью, новый массив ячеек обеспечивает увеличение плотности хранения данных на 41%, сокращение задержек при операциях чтения на 13% и повышение энергоэффективности при выполнении чтения на 10%. Кроме того, выход годных кристаллов с одной кремниевой пластины вырос на 59%, а рабочая скорость увеличилась на 18% за счёт улучшений в передаче сигналов. Для построения 321-слойной структуры инженеры SK Hynix применили три стека по 107 слоёв в каждом, тогда как 238-слойная память использовала два стека по 119 слоёв.
Накопитель PVF01 позиционируется производителем как клиентское решение (cSSD) для ультракомпактных систем, включая портативные игровые устройства, ультрабуки и мини-ПК. Форм-фактор M.2 2230 длиной всего 30 миллиметров накладывает серьёзные ограничения на размещение компонентов и систему отвода тепла. В отличие от полноразмерных накопителей, здесь нет места для массивных радиаторов или дополнительных термопрокладок. Использование PCIe Gen5 с его повышенным энергопотреблением делает задачу охлаждения особенно нетривиальной, однако применение энергоэффективной 321-слойной памяти V9 NAND, по заявлениям производителя, позволяет удерживать тепловыделение в допустимых пределах.
Прямым конкурентом представленной модели выступает накопитель Micron 3610, анонсированный в январе 2026 года. Micron 3610 также выполнен в форм-факторе M.2 2230 с интерфейсом PCIe Gen5 x4, но использует QLC NAND и достигает ёмкости до четырёх терабайт. Скоростные характеристики у Micron выше: последовательное чтение до 11000 мегабайт в секунду, запись до 9300 мегабайт в секунду. Однако QLC-память уступает TLC по ресурсу перезаписи и производительности при случайных операциях. Выбор SK Hynix в пользу TLC может означать ставку на более высокую надёжность и предсказуемую скорость в долгосрочной эксплуатации, особенно в сценариях с частой заменой данных.
Параллельно с клиентскими накопителями SK Hynix продемонстрировала корпоративную линейку PEB210, построенную на той же 321-слойной V9 TLC NAND с интерфейсом PCIe Gen5. Эти накопители выпускаются в трёх вариантах исполнения: E1.S толщиной 9,5 миллиметра, E1.S толщиной 15 миллиметров и M.2 2280. Версия E1.S 9,5 мм получила аппаратную поддержку жидкостного охлаждения DLC (Direct Liquid Cooling), что позволяет интегрировать накопитель непосредственно в контур жидкостного охлаждения сервера. Такое решение направлено на устранение теплового барьера, который ранее ограничивал применение высокоскоростных PCIe Gen5 накопителей в плотных серверных стойках.
