Южнокорейский производитель полупроводников SK hynix определил сроки запуска мобильной оперативной памяти нового поколения. Массовый выпуск микросхем стандарта LPDDR6 стартует во второй половине 2026 года. Компания применит для этого шестое поколение 10‑нанометрового техпроцесса, известное под обозначением 1c. Новая память обеспечит скорость передачи данных до 14,4 гигабита в секунду, что на 33 процента превышает пропускную способность актуальных коммерческих образцов LPDDR5X. Одновременно за счет усовершенствованной архитектуры ожидается рост энергетической эффективности более чем на 20 процентов.
Прирост ключевых показателей достигается сочетанием двух решений. Первое из них — субканальная структура шины данных. По опубликованным ранее данным комитета JEDEC, в основу LPDDR6 заложена 24‑битная шина, которая логически разделяется на три независимых 8‑битных подканала. Такое деление дает системе возможность избирательно активировать только необходимые для текущей транзакции линии, а незадействованные каналы оставлять в состоянии пониженного энергопотребления. Второе решение — механизм динамического регулирования частоты и напряжения питания, обозначаемый аббревиатурой DVFS. Он позволяет чипу оперативно менять рабочие параметры в зависимости от вычислительной нагрузки, дополнительно сокращая расход заряда аккумулятора в сценариях, не требующих пиковой производительности. Совместное действие этих механизмов и перехода на более совершенную технологию изготовления 1c обеспечивает снижение энергопотребления относительно предшественников на величину, превышающую 20 процентов.
Значение 14,4 гигабита в секунду в расчете на один вывод совпадает с верхней границей, зафиксированной в спецификациях JEDEC для LPDDR6. Действующие на рынке микросхемы LPDDR5X достигают в максимальных конфигурациях 10,7 гигабита в секунду — такую скорость, в частности, освоила компания Samsung в своих изделиях, а SK hynix ранее предлагала варианты с показателем 9,6 гигабита в секунду. Таким образом, заявленные 14,4 гигабита в секунду формируют задел, нужный для спутниковых нейросетевых ускорителей, обработки видео высокого разрешения и ресурсоемких игровых приложений. Переход на техпроцесс 1c к тому же позволяет повысить плотность компоновки ячеек, что открывает путь как к росту объема микросхем, так и к снижению их физических размеров.
К моменту начала массового производства SK hynix планирует стать одним из первых поставщиков LPDDR6. Другие участники рынка тоже ведут разработки в этом направлении, однако публично объявленные графики совпадают или отстают. Samsung, еще в 2023 году представившая самую скоростную на тот момент память LPDDR5X с уровнем 10,7 гигабита в секунду, пока не называла точных сроков вывода LPDDR6 на массовый выпуск. Micron Technology также демонстрировала прототипы, но ориентируется на аналогичное временное окно. Подобная расстановка сил повторяет картину прошлых лет, когда первая предсерийная партия оперативной памяти следующего поколения попадала к производителям мобильных платформ примерно за два‑три квартала до анонсов флагманских систем на чипе.
Первыми получателями новых чипов станут разработчики однокристальных систем для смартфонов и тонких ноутбуков. Отраслевые источники связывают сроки появления LPDDR6 с дорожными картами будущих процессоров Snapdragon и Dimensity, а также с ARM‑совместимыми платформами для персональных компьютеров. Применение памяти с пропускной способностью 14,4 гигабита в секунду позволит ускорить выполнение больших языковых моделей непосредственно на устройстве без обращения к облачным серверам и одновременно увеличить время автономной работы за счет агрессивного управления подканалами и частотно‑вольтовыми кривыми. Ожидается, что поставки готовых модулей LPDDR6 клиентам начнутся в конце 2026 года, а первые серийные устройства выйдут в свет на протяжении первой половины 2027 года.
