Тайваньская компания TSMC перевела в режим подъёма производственных мощностей пять заводов, выпускающих полупроводники по двухнанометровой технологии N2. Речь идёт о первой и второй очереди фабрики Fab 20 в городе Синьчжу, а также о трёх очередях завода Fab 22 в Гаосюне. По расчётам производителя, объём кремниевых пластин в первый год существования нового техпроцесса окажется на 45 процентов выше, чем у трёхнанометровых чипов на старте их выпуска в 2023 году.
По сравнению с предыдущим поколением N3E новые микросхемы потребляют на 25–30 процентов меньше энергии при сохранении производительности либо работают на 10–15 процентов быстрее при том же уровне энергозатрат. Плотность транзисторов выросла более чем на 15 процентов, а важным техническим новшеством стал переход от полевых FinFET-транзисторов к планарным GAA-структурам (окружающий затвор на основе нанолистов). Аналитики называют эту архитектуру самым крупным прорывом в индустрии за последние десять лет.
TSMC намерена наращивать темпы: по заявлениям старшего вице-президента Клиффа Хоу, сделанным на технологическом симпозиуме 2026 года в Кремниевой долине, среднегодовой прирост мощностей N2 и последующего процесса A16 в период с 2026 по 2028 год составит 70 процентов. К концу 2026 года ежемесячный объём двухнанометровых пластин может достичь 14 000 штук при стартовом показателе 3 500 штук. Отдельные отраслевые источники называют цифру до 100 000 пластин в месяц при цене около 30 000 долларов за одну пластину, что почти вдвое дороже трёхнанометрового предложения. По неофициальной информации, компания Apple уже зарезервировала свыше половины мощностей N2 под свои будущие процессоры A20, а также чипы M6 и Vision Pro R2. Среди прочих клиентов называют NVIDIA, Broadcom, Qualcomm и MediaTek.
Выходной брак (показатель годных кристаллов) на опытных партиях, по оценкам экспертов, превышает 70 процентов, что заметно выше показателей прямого конкурента Samsung на аналогичной стадии. В середине апреля 2026 года TSMC сообщила о дополнительном шестипроцентном улучшении выхода годной продукции по сравнению с плановыми значениями. Эти успехи позволяют компании сохранять лидерство в гонке техпроцессов даже несмотря на параллельные усилия Samsung с его 2-нанометровым проектом по цене на 15–20 процентов ниже, чем у TSMC, а также на запуск Intel технологии 18A с эквивалентными нормами.
TSMC продолжает расширять производственные площади за пределами Тайваня. На первой фабрике в Аризоне (Fab21) ожидается рост выпуска в 2026 году на 80 процентов относительно уровня 2025 года, а на заводе в японской префектуре Кумамото (Fab23) этот прирост достигнет 130 процентов. В текущем году компания намерена осуществить расширение пяти кремниевых фабрик и четырёх предприятий по корпусированию чипов, причём совокупный объём этих работ остался на уровне прошлого года и более чем вдвое превышает показатели 2017–2023 годов.
Параллельно с запуском N2 компания наращивает и более зрелые производственные линии. Объём мощностей 3-нанометровых и 5-нанометровых чипов с 2022 по 2027 год будет увеличиваться в среднем на 25 процентов ежегодно. Также серьёзную динамику демонстрирует сегмент передовой упаковки: с 2022 по 2027 год расширение технологии CoWoS ожидается на уровне 80 процентов в год, а технологии SoIC — более 90 процентов. Столь масштабная экспансия необходима для удовлетворения растущего спроса со стороны производителей мобильных устройств, систем искусственного интеллекта и серверов высокопроизводительных вычислений.
На конференции также были раскрыты планы относительно дальнейшего техпроцесса A13 (1 нанометр). Компания объявила, что этот следующий шаг должен быть готов к крупносерийному выпуску в 2029 году. Глава корпорации Си Си Вэй подчеркнул, что клиенты ожидают готовности новых передовых стандартов к моменту, когда потребуются проекты следующего поколения.
