Южнокорейский производитель микросхем SK hynix приступил к отгрузке инженерных образцов 12-слойной памяти HBM4E основным заказчикам. Данный продукт относится к седьмому поколению высокопроизводительной памяти HBM и приходит на смену актуальной HBM4. Первые поставки образцов стартовали 18 июня 2026 года, что оказалось раньше изначально запланированных сроков во втором полугодии.
Каждый стек HBM4E имеет ёмкость 48 гигабайт и составлен из двенадцати кристаллов DRAM ёмкостью по 32 гигабита (4 гигабайта) каждый. Плотность одного чипа выросла на 50 процентов по сравнению с 24-гигабитными кристаллами в HBM4. Пропускная способность достигает 4 терабайт в секунду благодаря скорости 16 гигабит в секунду на один контакт при сохранении 2048 линий ввода-вывода. Энергоэффективность нового стандарта превосходит предшествующее поколение более чем на 20 процентов.
В производстве HBM4E применена шестая генерация 10-нанометрового класса (1c) DRAM, тогда как в HBM4 использовалась пятая (1b). Для соединения слоёв применяется усовершенствованная технология MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill), в которой жидкий защитный материал заливается между кристаллами и затвердевает. По сравнению с HBM4 тепловое сопротивление снижено на 17 процентов, что повышает стабильность работы в высокопроизводительных системах.
В качестве управляющего базового кристалла, по данным отраслевых источников, используется 3-нанометровый техпроцесс TSMC, тогда как для предыдущего поколения применялся 12-нанометровый. Компания SK hynix не разглашает, какие именно заказчики получили образцы, и не называет точную дату начала массового производства. По оценкам индустрии, образцы предназначены для квалификации в составе будущих ускорителей искусственного интеллекта, включая платформу Nvidia Rubin Ultra, и серийный выпуск ожидается в 2027 году.
Конкуренция в сегменте HBM4E обостряется. Компания Samsung Electronics объявила о поставках аналогичных 12-слойных образцов 29 мая 2026 года, опередив SK hynix примерно на три недели. Оба производителя указывают сходные характеристики: 48 гигабайт ёмкости, скорость 16 гигабит в секунду на контакт и улучшенную энергоэффективность. По данным аналитических агентств, SK hynix удерживает около 57-58 процентов выручки на рынке HBM, а доля Samsung оценивается примерно в 21 процент. Компания Micron также ведёт разработки в этом направлении. Результаты квалификации образцов у ключевых заказчиков определят распределение контрактов на поставки памяти для следующего поколения ускорителей искусственного интеллекта.
