Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) достиг уровня выхода годной продукции выше 90 процентов для микросхем DDR5 на собственной технологической платформе 17 нанометров. Это значение уступает лишь на два-три процентных пункта показателю южнокорейской Samsung, выпускающей DDR5 по нормам 10-нанометрового класса поколений 1a или 1b. Отраслевые источники, включая The Elec, оценивают выход годных кристаллов Samsung для DDR5 на узле 1a в диапазоне 92–93 процентов. Конкуренты SK Hynix и Micron на аналогичных техпроцессах демонстрируют около 90 процентов. Таким образом, CXMT почти ликвидировала технологическое отставание, опираясь на зрелый техпроцесс 17 нанометров, который является прямым развитием платформ 19 нанометров, освоенных компанией ранее.
Успех CXMT достигается в условиях экспортных ограничений США. Правила, введённые в октябре 2022 года и расширенные в 2023 году, запрещают поставки оборудования для изготовления DRAM с проектными нормами менее 18 нанометров. Компания полагается на ранее установленные инструменты и собственные разработки. По данным DigiTimes, текущий объём производства пластин с чипами DDR5 на фабрике Fab 1 в Хэфэе составляет около 20 тысяч единиц в месяц. К концу 2025 года предприятие намерено нарастить мощность до 30 тысяч пластин. В четвёртом квартале 2024 года, по оценкам TrendForce, CXMT занимала около двух процентов мирового рынка DRAM в денежном выражении. При успешном расширении выпуска DDR5 доля способна увеличиться до пяти процентов к завершению текущего года.
Коммерческие продукты CXMT на базе чипов DDR5 включают модули UDIMM и SODIMM, соответствующие спецификациям JEDEC и работающие на скоростях 4800 и 5600 мегатранзакций в секунду. Они ориентированы как на настольные системы, так и на ноутбуки потребительского и корпоративного сегментов. Крупные сборщики персональных компьютеров реагируют на появление нового поставщика смешанными сигналами. По информации источников, близких к цепочкам поставок, американские Dell и HP, а также китайская Lenovo проводят квалификационные тесты модулей, однако проявляют осторожность. Они учитывают многолетние альянсы с Samsung, SK Hynix и Micron, а также потенциальные риски вторичных санкций за использование продукции китайского чипмейкера, который остаётся фигурантом чёрного списка министерства торговли США.
Резкое улучшение выхода годных у CXMT может оказать давление на контрактные цены в сегменте DDR5, которые демонстрировали повышательную динамику в первом квартале 2025 года. Приход четвёртого масштабного игрока расширяет возможности диверсификации закупок для OEM-производителей и способствует балансировке рынка, длительное время контролируемого тремя лидерами. Дальнейшие шаги CXMT, по мнению отраслевых аналитиков, будут связаны с переходом на более совершенные техпроцессы в диапазоне 15–16 нанометров. Ключевым ограничением останется доступ к передовому литографическому и измерительному оборудованию, необходимому для масштабирования выпуска. Тем не менее достижение более 90 процентов выхода годных на 17 нанометрах уже превращает CXMT в заметную силу на глобальном рынке оперативной памяти.
