Китайская компания CXMT представила первые китайские модули памяти DDR5-8000 и LPDDR5X-10667. Демонстрация состоялась на международной полупроводниковой выставке в Китае в 2025 году. Новые модули достигли уровня производительности продуктов южнокорейских производителей и американской компании Micron.
Скорость передачи данных модулей DDR5 составляет 8000 мегатрансферов в секунду. Память LPDDR5X показала результат 10667 мегатрансферов в секунду. Эти значения соответствуют последним разработкам Samsung в сегменте LPDDR5X.
Чипы LPDDR5X выпускаются в двух вариантах — 12 Гбит и 16 Гбит. Модули DDR5 выпускают с чипами 16 Гбит и 24 Гбит. Для рынка серверов и центров обработки данных компания также представила модули RDIMM, MRDIMM и TFF MRDIMM.
Потребительские компьютеры получат модули UDIMM, а ноутбуки и компактные устройства — SODIMM. Специальные модули CUDIMM и CSODIMM с улучшенными характеристиками тактовой частоты предназначены для рабочих станций и энтузиастов разгона.
В январе 2025 года аналитическая компания TechInsights обнаружила чипы CXMT в модулях Gloway DDR-6000 UDIMM. Это событие отметили как важный этап развития китайской индустрии памяти. Чипы DDR5 объемом 16 Гбит изготовили по 16-нанометровому технологическому процессу.
Площадь одного чипа составляет 67 квадратных миллиметров при плотности 0.239 Гбит на квадратный миллиметр. Новое поколение G4 имеет ячейки памяти на 20% меньше по сравнению с предыдущим поколением G3. Технологическая эволюция компании прошла этапы 23 нм для первого поколения и 18 нм для второго поколения.
Несмотря на достижения, разрыв в производственных возможностях между CXMT и лидерами рынка составляет около трех лет. Компании Samsung, SK Hynix и Micron сохраняют технологическое преимущество. Это означает, что глобальный дефицит DRAM не найдет быстрого решения за счет китайского производителя.
