Отраслевая конференция по электронным компонентам (ECTC) стала местом для презентации ключевого обновления технологии встроенных многоячеечных межсоединений (EMIB) от Intel. Данная разработка, известная как EMIB-T, интегрирует сквозные кремниевые переходные отверстия (TSV) и высокомощные металл-изолятор-металлические конденсаторы в существующую структуру EMIB. По словам Рахула Манепалли, ведущего научного сотрудника и вице-президента Intel по разработке подложечной упаковки, эти изменения обеспечивают более надежное питание и улучшают связь между отдельными чипплетами.
Традиционные EMIB-конструкции сталкивались с проблемой падения напряжения из-за консольной схемы питания. В отличие от этого, EMIB-T направляет питание напрямую через TSV от подложки корпуса к каждому подключению чипплета. Встроенные конденсаторы компенсируют быстрые колебания напряжения и сохраняют целостность сигнала.
Это улучшение будет иметь решающее значение для перспективной памяти, такой как HBM4 и HBM4e, где ожидаются скорости передачи данных 32 Гбит/с на вывод или более через интерфейс UCIe. Intel подтвердила, что первые пакеты EMIB-T будут иметь ту же энергоэффективность, что и текущие, около 0,25 пДж/бит, но с более высокой плотностью межсоединений. Компания планирует уменьшить шаг выводов ниже нынешнего стандарта в 45 мкм.
Начиная с 2026 года Intel намерена производить упаковки на основе EMIB размером 120 x 120 мм, что примерно в восемь раз больше одного экспонируемого поля. Такие большие подложки могут интегрировать до двенадцати стеков высокоскоростной памяти наряду с множественными вычислительными чипплетами, соединенными более чем двадцатью EMIB-мостами. Взглянув дальше в будущее, Intel ожидает расширить размеры корпусов до 120 x 180 мм к 2028 году. Такие конструкции могут вместить более 24 стеков памяти, восемь вычислительных чипплетов и 38 или более EMIB-мостов.
