Langdao Silex представил опытный образец EUV-источника FlintNano LPP-OXXO. Устройство предназначено для EUV-литографии и, по сообщению TechPowerUp, обеспечивает выходную мощность более 15 Вт. Источник работает по схеме лазерно-плазменного возбуждения: мощный лазер мощностью 1000 Вт формирует плазму, излучающую в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне. Степень локализации компонентов в системе превышает 90 процентов. Прототип создан для испытаний по экспонированию кремниевых пластин.
EUV-литография использует излучение с длиной волны 13,5 нм. Такое излучение сильно поглощается воздухом и оптическими материалами, поэтому промышленные установки работают в вакууме и используют многослойную зеркальную оптику. В LPP-источниках, к которым относится FlintNano LPP-OXXO, плазма образуется при попадании мощного лазерного импульса в мишень. В коммерческих системах ASML, создаваемых с участием Cymer и Trumpf, применяются драйверные CO2-лазеры мощностью порядка 30 кВт и источники с выходной мощностью в сотни ватт. Например, источник NXE:3600D рассчитан на 300 Вт. Китайский прототип с параметром более 15 Вт существенно уступает серийным решениям по мощности, однако может использоваться для отработки процессов экспонирования и диагностики.
Langdao Silex называет FlintNano LPP-OXXO первым китайским EUV-источником. Ранее Китай не имел доступа к коммерческим EUV-системам из-за экспортных ограничений Нидерландов и США. Местные компании и исследовательские центры ведут работы над отдельными компонентами: источниками излучения, зеркалами, фотомасками, фоторезистами и системами управления. Проект Langdao Silex относится к направлению LPP, которое доминирует в промышленной EUV-литографии. Альтернативные подходы включают разрядную плазму и лазерно-разрядную плазму, но они пока не обеспечивают нужного сочетания мощности, стабильности и ресурса.
Помимо Langdao Silex, в Китае ведутся исследовательские проекты по EUV-источникам на базе разрядной плазмы и ускорительных схем. Однако промышленная EUV-литография пока остается областью ASML. Для перехода к серийному производству источнику необходимы не только мощность, но и стабильность, длительный ресурс коллекторной оптики, эффективная очистка и высокая частота следования импульсов. В сообщении Langdao Silex эти параметры не раскрыты. Сравнение с NXE:3600D показывает разрыв: 15 Вт против 300 Вт и отсутствие данных о производительности экспонирования. Поэтому FlintNano LPP-OXXO следует рассматривать как лабораторный прототип для проверки физики LPP и локализации компонентов.
Для серийного производства микросхем по нормам 7 нм и ниже требуются источники мощностью от 250 до 300 Вт и выше. При мощности более 15 Вт прототип не может конкурировать с установками ASML по производительности. Его значение связано с проверкой базовых физических процессов, локализацией узлов и накоплением опыта для следующего поколения. В сообщении не указаны сроки коммерциализации, ресурс работы, эффективность преобразования энергии и частота следования импульсов. Эти параметры критичны для перехода от лабораторного образца к промышленному источнику. Технические детали проекта требуют независимого подтверждения.
