Южнокорейский производитель полупроводниковой продукции SK Hynix сообщил о разработке решения UFS 4.1 на базе 321-слойной 1 Тбит трёхуровневой ячеистой 4D NAND-памяти для мобильных устройств. Это стало ответом на растущие требования к производительности и энергоэффективности флеш-накопителей, необходимых для стабильной работы встроенного искусственного интеллекта.
Компания рассчитывает, что оптимизированный для AI-нагрузок UFS 4.1 поможет укрепить её лидерство на рынке памяти для флагманских смартфонов. Ключевыми особенностями новинки стали повышение энергоэффективности на 7% по сравнению с предыдущим поколением, а также уменьшение толщины до 0,85 мм, чтобы обеспечить использование в сверхтонких мобильных устройствах.
Новое решение UFS 4.1 обладает рекордной для четвёртого поколения UFS скоростью последовательного чтения — 4300 Мбайт/с. При этом производительность случайного чтения и записи улучшена на 15% и 40% соответственно, что критически важно для многозадачной работы. Это должно обеспечить более быстрое предоставление данных для встроенного AI и ускорить общую отзывчивость приложений, повышая удовлетворённость пользователей.
В дополнение к ёмкостям 512 Гбайт и 1 Тбайт, SK Hynix планирует завершить разработку на базе 321-слойной 4D NAND-памяти и SSD-накопителей для потребительского и корпоративного сегментов до конца текущего года. Таким образом компания рассчитывает упрочить своё положение в качестве поставщика полного спектра AI-ориентированной памяти.
Ожидается, что новое решение UFS 4.1 от SK Hynix пройдёт квалификацию у заказчиков в течение 2023 года и начнёт массовые поставки в первом квартале следующего года. Это позволит производителям мобильных устройств применять передовые разработки в области памяти для обеспечения высокой производительности и энергоэффективности их флагманских моделей.
Появление сверхплотной 321-слойной 4D NAND-памяти, несомненно, знаменует важный этап развития твердотельных накопителей. Для мобильных устройств это открывает новые возможности по наращиванию ёмкости и быстродействия при одновременном снижении энергопотребления. Ожидается, что подобные инновации в области памяти будут играть всё более значимую роль в реализации передовых функций искусственного интеллекта и углублении пользовательского опыта на мобильных платформах.
