Micron разработал модуль памяти для ЦОД, способный хранить 128 гигабайт данных. Анонсированный ранее в этом месяце, новый модуль использует 32-гигабитные чипы DRAM для достижения более чем 45 % большей плотности памяти по сравнению с альтернативными конструкциями модулей, представленными в настоящее время на рынке.
Оценки производительности показывают, что модуль обладает заметными преимуществами в нескольких ключевых областях. По прогнозам, энергоэффективность будет на 24 % выше, чем у аналогичных продуктов. Ожидается, что время доступа сократится на 16 %. Результаты бенчмарков также указывают на потенциальное ускорение рабочих нагрузок ИИ до 28 %.
Работая на тактовой частоте до 8 000 мегатранзакций в секунду, модуль устанавливает новый порог производительности памяти в центрах обработки данных. Технология DRAM объемом 32 Гб, позволяющая увеличить емкость до 256 гигабайт и выше, призвана удовлетворить растущие потребности приложений искусственного интеллекта и in-memory.
В перспективе компания планирует использовать новую память в различных форматах модулей. Рассматриваются варианты с регулируемой и пониженной нагрузкой. В будущем чипы DRAM емкостью 32 Гб могут быть использованы и в других форм-факторах, например, в тех, которые соответствуют стандарту Compute Express Link.
Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров обработки данных с высокой пропускной способностью. Только дальнейшее внедрение и тестирование в реальных условиях определит, удастся ли полностью реализовать эти высокие показатели эффективности, скорости и емкости.
