Micron Technology объявила о создании в Бойсе (штат Айдахо) исследовательского института Micron Research Labs. В течение следующих десяти лет компания направит на его работу 10 миллиардов долларов. Основной задачей новой структуры станет разработка критических технологий памяти, перспективных архитектур памяти и вычислений, а также производственных процессов для эры искусственного интеллекта.
Бойсе исторически является ключевым узлом исследовательской и производственной инфраструктуры Micron. Здесь расположена штаб-квартира компании и одна из крупнейших фабрик по выпуску DRAM. В 2022 году Micron анонсировала строительство в Бойсе нового завода стоимостью 15 миллиардов долларов, рассчитанного на расширение производства передовой оперативной памяти. Позднее, в 2024 году, корпорация получила субсидию в размере 6,1 миллиарда долларов в рамках американского закона CHIPS and Science Act. Эти средства предназначены для поддержки проектов в Айдахо и строительства мегафабрики в Клэе (штат Нью-Йорк), общий объём инвестиций в которую может достичь 100 миллиардов долларов в течение двадцати лет. Новый исследовательский центр дополнит производственные мощности, сконцентрировав ресурсы на доконкурентных стадиях разработки.
Исследовательская программа Micron Research Labs охватывает несколько направлений. Первое — создание следующих поколений оперативной памяти с высокой пропускной способностью. Речь идёт о стековых решениях HBM4 и HBM5, которые критически важны для ускорителей обучения больших языковых моделей. Второе направление связано с энергонезависимой памятью 3D NAND. Инженеры продолжат наращивать число слоёв, переходя к структурам с более чем 300 активными уровнями, и внедрять методы гибридного бондинга для повышения плотности. Третье направление — архитектуры вычислений, приближенных к памяти. Лаборатории будут изучать технологии near-memory и in-memory compute, позволяющие выполнять отдельные операции непосредственно в массивах ячеек DRAM или на логическом кристалле-основании. Это снижает объём пересылаемых данных и энергопотребление в задачах инференса. Кроме того, в центре займутся новыми материалами для ячеек, включая сегнетоэлектрические и антиферромагнитные структуры, а также адаптацией EUV-литографии к массовому выпуску памяти.
Объявление Micron происходит на фоне обострения глобальной конкуренции в сегменте памяти для ИИ-ускорителей. Южнокорейская SK hynix, основной поставщик HBM3 и HBM3E для Nvidia, в 2024 году начала строительство исследовательского центра и предприятия по упаковке памяти в Уэст-Лафейетте (штат Индиана) с инвестициями около 3,87 миллиарда долларов. Samsung Electronics также расширяет лаборатории в Техасе и ведёт разработку HBM4 на собственных логических кристаллах-основаниях. На этом фоне ставка Micron на централизацию исследований в Бойсе выглядит как попытка сократить отставание в стековой памяти и закрепить позиции на рынке компонентов для центров обработки данных.
Ожидается, что первые результаты работы Micron Research Labs повлияют на спецификации продуктов второй половины текущего десятилетия. Массовое внедрение HBM4 запланировано на 2026–2027 годы, а прототипы HBM5 могут появиться ближе к 2028 году. В области NAND компания уже применяет 232-слойные кристаллы и готовит переход на техпроцессы с числом слоёв свыше 300. Исследовательский центр также должен ускорить перенос перспективных техпроцессов DRAM поколений 1γ и 1δ в серийное производство. Совокупность этих работ направлена на обеспечение совместимости памяти с будущими поколениями вычислительных платформ, включая системы на базе интерфейсов CXL 3.0 и ускорители с чиплетной компоновкой.
