8 июня южнокорейская компания SK hynix объявила о начале массового производства 236-слойной флэш-памяти 4D NAND. О начале работы над разработкой этой памяти компания объявила еще в прошлом году.
SK hynix разработала решения как для смартфонов, так и для клиентских твердотельных накопителей, которые используются в качестве устройств хранения данных на ПК. В новой флеш-памяти используется 238-слойная технологию NAND. Теперь компания приступила к массовому производству этой новой флеш-памяти. Компания надеется обеспечить себе конкурентные преимущества на мировом рынке по уровню цены, производительности и качеству как для 238-слойной NAND, так и для 176-слойной NAND предыдущего поколения.
238-слойная память имеет на 34% более высокую производственную эффективность по сравнению с предыдущим поколением 176-слойной памяти. Кроме того, благодаря скорости передачи данных 2,4 Гбит/с, что на 50% больше, чем у предыдущего поколения, компания уверена, что производительность пользователей смартфонов и ПК, использующих эту технологию, значительно повысится.
Как только тестирование на совместимость продукта с мировыми производителями смартфонов будет завершена, SK hynix начнет поставлять 238-слойный продукт NAND, а также расширит портфель продуктов, таких как твердотельные накопители PCIe 5.0.
