Вице-председатель Samsung Electronics Чон Ён Хён провёл закрытую встречу с главой NVIDIA Дженсеном Хуаном, центральными темами которой стали поставки стековой памяти будущих поколений и возможность производства полупроводниковых кристаллов на заводах южнокорейской корпорации. В повестку переговоров вошли стандарты HBM4E и HBM5, модули SOCAMM со сверхнизким энергопотреблением, а также выделение литографических мощностей по нормам 4 нанометра и 8 нанометров для выпуска ИИ-ускорителей и автомобильных чипов. Такой набор тем свидетельствует о попытке Samsung укрепить позиции в цепочке поставок NVIDIA на фоне острой конкуренции с SK hynix и тайваньскими контрактными производителями.
Стековая память HBM остаётся критически важным компонентом для ускорителей вычислений, которые NVIDIA выпускает под брендами Hopper и Blackwell. Текущее поколение HBM3E, производимое преимущественно силами SK hynix, обеспечивает пропускную способность около 1.2 терабайта в секунду на один стек из восьми кристаллов. Следующий шаг, спецификация HBM4, предполагает удвоение числа линий ввода-вывода до 2048 и рост пропускной способности за отметку 1.6 терабайта в секунду при снижении напряжения питания. Стандарт HBM4E, упомянутый в ходе переговоров, представляет собой расширенную версию четвёртого поколения с оптимизированным тепловым пакетом и уменьшенным расстоянием между кристаллами, что важно для компоновки многокристальных сборок. HBM5, в свою очередь, находится на этапе концептуальной проработки, и его коммерческие образцы ожидаются не раньше 2028–2029 годов. Обсуждение столь далёких горизонтов прямо на встрече руководителей высшего звена указывает на заинтересованность NVIDIA в диверсификации поставщиков на годы вперёд.
Вторым важным пунктом повестки стали модули SOCAMM, расшифровываемые как Small Outline Compression Attached Memory Module. Этот форм-фактор разрабатывает консорциум, в который входит Samsung, для замены традиционных планок памяти в серверах и рабочих станциях. Модули SOCAMM используют интерфейс LPCAMM с компрессией данных и рассчитаны на сверхнизкое энергопотребление, что делает их подходящими для периферийных вычислений в задачах искусственного интеллекта. NVIDIA может рассматривать SOCAMM как промежуточное решение между дорогой стековой памятью HBM и массовой DDR, особенно для ускорителей среднего сегмента и систем автопилота, где важен баланс между пропускной способностью и тепловыделением.
Литографические мощности Samsung, вынесенные на обсуждение, включают техпроцессы 4 нанометра и 8 нанометров. Норма 8 нанометров уже знакома NVIDIA: на ней выпускались графические процессоры Ampere потребительского сегмента, такие как GA102 для видеокарт GeForce RTX 3090. Норма 4 нанометра относится к более современному поколению и в теории может использоваться для будущих ИИ-чипов или специализированных микросхем для автомобильной электроники. Однако реальное производство передовых ускорителей NVIDIA в последние годы сосредоточено на мощностях TSMC, которая обеспечивает выпуск кристаллов по технологиям 4 нанометра и готовит 3-нанометровый техпроцесс для следующих архитектур. Samsung пытается предложить альтернативу, используя свободные объёмы на линиях в Хвасоне и Пхёнтхэке, где загрузка оборудования в 2025–2026 годах оставалась ниже плановых показателей. Получение даже части заказов от NVIDIA стало бы для южнокорейского гиганта серьёзным подспорьем на фоне конкуренции с TSMC и растущих требований к полупроводникам.
Сам формат встречи подчёркивает её значимость: Чон Ён Хён занял пост руководителя полупроводникового направления Samsung в мае 2024 года и с тех пор лично координирует ключевые переговоры с партнёрами. Дженсен Хуан, со своей стороны, регулярно проводит консультации с производителями памяти, поскольку объёмы закупок HBM для линеек Hopper и Blackwell исчисляются миллиардами долларов. По оценкам аналитической компании TrendForce, доля NVIDIA в мировом потреблении стековой памяти HBM превышает 70 процентов, что делает её главным клиентом для всех поставщиков. SK hynix в настоящее время удерживает более 50 процентов рынка HBM, Samsung занимает около 35 процентов, оставшаяся часть приходится на Micron Technology. Расширение сотрудничества с NVIDIA по стандартам HBM4E и HBM5 способно изменить это соотношение в пользу Samsung при условии успешной сертификации образцов.
Для автомобильного направления NVIDIA, представленного платформой Drive AGX Orin и перспективной Drive Thor, доступ к дополнительным литографическим мощностям на нормах 8 нанометров решает проблему масштабирования. Автопроизводители требуют гарантий долгосрочных поставок, и наличие двух независимых фабрик снижает риски дефицита. Samsung уже выпускает автомобильные чипы для Tesla и ряда других заказчиков, поэтому инфраструктура и сертификация по стандарту AEC-Q100 у неё имеются.
Стороны не раскрыли деталей о конкретных договорённостях, достигнутых на встрече. Представители Samsung ограничились заявлением о конструктивном характере диалога, а пресс-служба NVIDIA традиционно воздержалась от комментариев до подписания финальных контрактов. Отраслевые наблюдатели, однако, отмечают, что сам факт включения в повестку перспективных стандартов HBM4E и HBM5 говорит о выходе переговоров за рамки рутинных консультаций и переходе к фазе технической проработки будущих продуктов. Если Samsung сумеет пройти квалификацию NVIDIA по HBM4, поставки могут начаться в 2026 году одновременно с запуском следующего поколения ускорителей Rubin, которое придёт на смену архитектуре Blackwell. В этом случае южнокорейская компания получит шанс укрепить позиции в самом быстрорастущем сегменте полупроводниковой отрасли, где счёт идёт на десятки миллиардов долларов ежегодной выручки.
