Компания Samsung начала масштабную реорганизацию производства микросхем памяти на своих южнокорейских предприятиях. Производитель переводит часть линий по выпуску NAND-флеш памяти на выпуск DRAM-чипов на заводах в Пхёнтхэке и Хвасоне. Строящийся завод P4 в Пхёнтхэке будет полностью специализироваться на выпуске DRAM с применением техпроцесса 1с.
Источники в отрасли сообщают о растущей осторожности Samsung в отношении рынка NAND-памяти. В это же время спрос на стандартные чипы DRAM демонстрирует резкий рост. Цены на эту продукцию увеличиваются высокими темпами, а некоторые серверные клиенты готовы платить до 70% больше за модули DDR5 объемом 96 ГБ и 128 ГБ, но все равно сталкиваются с дефицитом поставок. Крупные технологические компании ожидают сохранения дефицита в течение нескольких лет и уже ведут переговоры о квотах на поставки DRAM на 2027 год.
В настоящее время Samsung организует производство как DRAM, так и NAND на заводах P1 и P3 в Пхёнтхэке и на площадке в Хвасоне. Гибридные линии на P1 и в Хвасоне будут переориентированы на выпуск DRAM по мере демонтажа оборудования для производства NAND. Завод P4, который сейчас находится на завершающей стадии строительства, начнет работу в следующем году как специализированная линия по выпуску DRAM по техпроцессу 1с. Компания также рассматривает возможность использования второй зоны P4, изначально предназначенной для фаундри-производства, для выпуска DRAM.
После завершения всех изменений объем выпуска DRAM на заводе P1 в Хвасоне и на заводе P4 в Пхёнтхэке должен существенно вырасти в первой половине следующего года. Сокращение производства NAND в Южной Корее будет компенсировано за счет увеличения выпуска на заводе Samsung в китайском Сиане.
Мировой рынок полупроводниковой памяти традиционно демонстрирует циклический характер с периодическими колебаниями спроса и предложения. Ситуация с текущим дефицитом DRAM имеет отличительные особенности, связанные с глобальным развитием инфраструктуры искусственного интеллекта. Системы ИИ требуют значительных объемов оперативной памяти для обработки больших данных и сложных нейросетевых моделей.
Перераспределение производственных мощностей между разными типами памяти является сложным технологическим процессом. Оборудование для производства NAND и DRAM имеет существенные различия, хотя и принадлежит к одной общей категории полупроводниковых линий. Процесс конверсии производственных линий требует не только физической замены оборудования, но и перенастройки всех технологических процессов и систем контроля качества.
