На недавно завершившемся мероприятии CES 2025 компания Phison Electronics, ведущий производитель контроллеров SSD, представила свои новейшие предложения, направленные на стимулирование внедрения высококлассных твердотельных накопителей NVMe Gen 5.
Центральным элементом анонса Phison стал новый контроллер серии E28 (PS5028-E28), созданный по передовому техпроцессу TSMC 6 нм. Это значительное улучшение по сравнению с предыдущим контроллером серии E26, который был основан на 12 нм техпроцессе. Переход на 6 нм техпроцесс позволил Phison оптимизировать электрические затраты на сериализатор-дезериализатор интерфейса флэш-памяти NAND, что позволило контроллеру E28 обеспечить еще более высокую производительность, близкую к пределам интерфейса PCI-Express 5.0 x4.
Контроллер E28 от Phison способен обеспечить последовательную скорость до 14,5 ГБ/с, что превосходит производительность предыдущего поколения E26 Max14um. Компания продемонстрировала чип контроллера E28 и SSD эталонного дизайна, но отметила, что для достижения оптимальной производительности серийным дискам с этим контроллером все равно потребуются радиаторы, хотя они могут работать холоднее, чем диски с контроллером E26.
В дополнение к серии E28 компания Phison также объявила о том, что ее контроллер среднего класса NVMe Gen 5 DRAMless E31T получил поддержку новой серии NAND флэш-памяти G9 от Micron. Компания продемонстрировала еще не выпущенный SSD Crucial P510, в котором контроллер E31T сочетается с NAND G9 и используется довольно тонкое пассивное охлаждение. Такая конфигурация показала впечатляющую производительность: до 11 ГБ/с при чтении, 8,6 ГБ/с при записи и 5,9 ГБ/с при случайном чтении 4K в QD32.
Наконец, компания Phison представила Pascari D205V, 2,5-дюймовый твердотельный накопитель корпоративного класса с интерфейсом U.2 Gen 5 x4. Благодаря использованию флэш-памяти QLC NAND этот накопитель способен достигать поразительной максимальной емкости в 122,88 ТБ. Что касается производительности, то Pascari D205V обеспечивает скорость последовательного чтения до 14,6 ГБ/с, последовательной записи — 3,2 ГБ/с, случайного чтения — 3 млн IOPS 4K и случайной записи — 35 000 IOPS 4K, что делает его хорошо подходящим для использования в центрах обработки данных облачных хранилищ.
