10 лет назад 28 апреля 2010 в 20:42 375

Флэш-память – совокупность запоминающих ячеек, главным элементом каждой из которых является полевой транзистор с плавающим затвором.

Такой транзистор состоит из полупроводниковой подложки, в которой выделено две области, имеющие противоположный по сравнению с ней тип проводимости, с подведенными к ним электродами (стоком и истоком), а также двух металлических затворов, плавающего и управляющего, отделенных от подложки и друг от друга тонким слоем диэлектрика.

Для протекания тока между стоком и истоком в подложке необходим канал для носителей заряда. Осуществляется данная операция при помощи подачи напряжения на управляющий затвор – возникающее при этом электрическое поле и создает в подложке тот самый канал.

Плавающий же затвор может «мешать» управляющему выполнять свою работу – то есть, грубо говоря, «перебарывать» его поле своим, не позволяя возникнуть каналу. Происходит подобная «блокировка» в том случае, если на плавающий затвор предварительно помещен заряд – собственно, к этой самой «зарядке», а также соответствующей «разрядке» и сводятся операции записи и стирания ячейки флэш-памяти.

Соответственно, считывание информации в случае с SLC представляет собой определение того, протекает ток через транзистор или нет при подаче на него обычных напряжений. Для MLC же подобного двухуровневого разделения, понятное дело, недостаточно – тут уже используются более тонкие градации состояния ячейки. Кстати говоря, свой заряд плавающий затвор способен сохранять в течение нескольких десятков лет.

Никто не прокомментировал материал. Есть мысли?