11 лет назад 21 сентября 2009 в 15:27 353

Сотрудники научного-исследовательского подразделения IBM разработали память нового поколения. По их словам, 32-нанометровая технология SOI (silicon-on-insulator, кремний на изоляторе) обеспечивает 30-процентный прирост производительности и 40-процентное снижение энергопотребления по сравнению с обычной технологией изготовления чипов памяти.

Суть SOI состоит в защите транзисторов своеобразным изоляционным “одеялом”, предотвращающим утечку тока. У ученых уже имеется тестовый образец чипа eDRAM c самыми маленькими, самыми емкими и самыми быстрыми ячейками памяти, аналогов которым в индустрии нет. Они заявляют, что по этим параметрам данный прототип превосходит SRAM, изготовленные по 32- и 22-нанометровым технологиям. Как полагают специалисты, созданный ими чип сравним лишь с тем, чего ждут от 15-нанометровых SRAM.

Никто не прокомментировал материал. Есть мысли?