Компания SK Hynix начинает монтаж пилотной линии по выпуску памяти 1b DRAM на предприятии M15X в Чхонджу. Оборудование планируют ввести в эксплуатацию до ноября текущего года. Проектная мощность линии рассчитана на обработку десяти тысяч кремниевых пластин каждый месяц.
Новая линия нацелена на удовлетворение спроса на память HBM. Аналитики издания The Bell подтверждают эти планы. Технологическая стратегия SK Hynix отличается от подхода основного конкурента. Компания Samsung делает ставку на более совершенный техпроцесс 1c DRAM для будущего стандарта HBM4. В то же время SK Hynix и американская Micron выбрали архитектуру 1b DRAM. Издание Aju News рассматривает это как свидетельство разных путей развития в условиях жесткой конкуренции на рынке памяти для искусственного интеллекта.
Параллельно на рынке наблюдается всеобщий пересмотр ценовых условий. Аналитическая фирма TrendForce со ссылкой на источники SeDaily и Business Korea сообщает о начале переговоров между SK Hynix и ее заказчиками о новых ценах. Официального заявления от компании пока не поступало. Корректировка цен соответствует текущей рыночной конъюнктуре.
Практика повышения цен приобрела отраслевой масштаб. Компания Micron стала первой, кто объявил о повышении цен в сентябре. Партнеры Micron по каналам сбыта получили уведомление о росте цен на продукцию DRAM на 20-30 процентов. Затем Samsung проинформировала ключевых клиентов о повышении договорных цен на память DRAM в четвертом квартале. Рост цен затронул чипы LPDDR4X и LPDDR5/5X в диапазоне от 15 до 30 процентов.
Рынок флеш-памяти NAND также не избежал повышения цен. Стоимость контрактов на чипы eMMC и UFS, по прогнозам, увеличится на 5-10 процентов. TrendForce также отмечает рост производства QLC SSD. Коэффициент использования производственных мощностей для этой продукции будет увеличиваться вплоть до 2026 года.
Спрос на память для задач инференса искусственного интеллекта, по мнению аналитиков, сохранится до 2027 года. Эта тенденция может привести к дефициту корпоративных SSD уже к 2026 году. Рост цен обусловлен структурными изменениями в отрасли. Резкое увеличение потребности в высокоскоростной памяти со стороны сектора искусственного интеллекта создает дисбаланс между спросом и предложением. Производители перераспределяют ресурсы в пользу более дорогих и маржинальных продуктов, таких как HBM и серверные SSD.
Это приводит к сокращению объемов производства стандартной памяти для потребительского рынка, что усиливает давление на цены. Ситуация усугубляется высокой капиталоемкостью создания новых производственных линий. Строительство современного завода по выпуску полупроводников требует миллиардов долларов инвестиций и занимает несколько лет.
Различие в технологических дорожках Samsung и SK Hynix отражает их оценку рисков и потенциала разных сегментов рынка. Переход на более тонкий техпроцесс 1c связан с техническими сложностями и высокими затратами. Архитектура 1b DRAM может рассматриваться как оптимальный баланс между производительностью, стоимостью и скоростью выхода на рынок. Это позволяет компаниям быстрее нарастить объемы поставок в условиях ажиотажного спроса.
Повышение цен на память окажет влияние на всю цепочку производства электроники. Удорожание компонентов приведет к росту себестоимости серверов, персональных компьютеров, смартфонов и других устройств. Конечные потребители могут столкнуться с увеличением цен на готовую продукцию в течение следующих нескольких кварталов. Устойчивость ценового тренда будет зависеть от динамики развития искусственного интеллекта и способности производителей памяти адекватно расширять производственные мощности.
