Компания Samsung успешно завершила этап квалификационных испытаний памяти HBM4E, предназначенной для будущих ИИ-ускорителей NVIDIA Rubin Ultra. Каждый стек HBM4E обеспечивает пропускную способность до 3,6 ТБ/с, а в режиме 16 Гбит/с на контакт этот показатель достигает 4 ТБ/с. Плотность памяти в одной сборке составляет от 32 ГБ до 64 ГБ. HBM4E является развитием стандарта HBM4 и использует 2048-битный интерфейс на стек, что вдвое больше по сравнению с 1024-битным интерфейсом HBM3E.
NVIDIA Rubin Ultra относится к следующему поколению ускорителей после архитектур Blackwell и Blackwell Ultra. По дорожной карте NVIDIA, платформа Rubin должна появиться в 2026 году, а Rubin Ultra — в 2027 году. Rubin Ultra ориентирован на задачи обучения и вывода больших языковых моделей, где критичны объем памяти и скорость обмена данными. В таких системах HBM работает в связке с графическим процессором через кремниевую подложку и передовые методы компоновки. Пропускная способность одного стека HBM4E до 4 ТБ/с означает, что при использовании нескольких стеков общая пропускная способность ускорителя может измеряться десятками терабайт в секунду. Для сравнения, HBM3E обеспечивала до 1,2 ТБ/с на стек, а базовый HBM4 — около 2 ТБ/с. Таким образом, HBM4E удваивает показатели HBM4 и более чем в три раза превосходит HBM3E по скорости на один стек.
На рынке HBM ключевыми производителями остаются Samsung, SK hynix и Micron. SK hynix ранее стала основным поставщиком HBM3E для NVIDIA, тогда как Samsung столкнулась с задержками квалификации. Пресс-релиз указывает, что предыдущее поколение HBM3E Samsung не прошло требования NVIDIA. Это ограничивало позиции компании в сегменте ускорителей для ИИ. Успешные испытания HBM4E могут изменить позиции на рынке, если Samsung сможет обеспечить стабильное массовое производство и необходимые объемы поставок. Квалификация у NVIDIA обычно включает проверку совместимости с контроллерами памяти, тепловых режимов, энергопотребления и надежности.
HBM4E также важна для конкуренции с решениями SK hynix и Micron. Обе компании разрабатывают память HBM4 и HBM4E. Micron заявляла о планах по выпуску HBM4, а SK hynix демонстрировала образцы HBM4 с 2048-битным интерфейсом. Samsung, в свою очередь, развивает HBM4E с высокой плотностью до 64 ГБ на стек. Такая плотность позволяет увеличить объем памяти ускорителя без роста числа стеков. Для Rubin Ultra это означает возможность размещения большего числа параметров модели непосредственно в HBM. Поэтому квалификационные испытания включают проверку работы на разных частотах, включая режим 16 Гбит/с на контакт.
Ожидается, что Rubin Ultra станет ключевым потребителем HBM4E. Если Samsung сохранит статус квалифицированного поставщика, компания сможет вернуться в цепочку поставок NVIDIA наравне с SK hynix и Micron. Дальнейшие шаги включают подготовку массового производства, тестирование в составе готовых ускорителей и согласование объемов. Для NVIDIA Rubin Ultra это создает основу для роста производительности ИИ-систем следующего поколения.
