Южнокорейские производители полупроводников Samsung Electronics и SK hynix в рамках национальной стратегии развития чипов направят около 870 миллиардов долларов США на расширение производственных мощностей в течение ближайших десяти лет. Общий объем финансирования программы, координируемой правительством Республики Корея, составляет 1350 триллионов вон и предполагает создание крупнейшего в мире высокотехнологичного кластера в провинции Кёнгидо.
Средства корпораций будут сконцентрированы на возведении новых фабрик по выпуску динамической памяти с произвольным доступом, флеш-памяти NAND и логических микросхем. Ключевым пунктом дорожной карты является удвоение объемов производства чипов DRAM в течение первых пяти лет реализации проекта. Платформой для развертывания передовых линий выбран промышленный комплекс Йонъин, где к 2030 году планируется завершить строительство 13 новых заводов и трех электростанций для их энергоснабжения.
Расширение затронет и инфраструктуру обработки данных. Значительная доля ассигнований предусмотрена для создания специализированных центров обработки данных, ориентированных на нагрузки искусственного интеллекта. Это решение связано с прогнозируемым ростом спроса на память с высокой пропускной способностью (High Bandwidth Memory, HBM), необходимую для ускорителей вычислений NVIDIA H200 и AMD Instinct MI300X. SK hynix уже занимает доминирующее положение в сегменте HBM3E, поставляя продукцию для передовых графических процессоров, а Samsung завершает квалификацию собственных микросхем HBM3E 12Hi у ключевых заказчиков в Северной Америке.
Технологическое обновление затронет и литографические стандарты. Обе компании намерены ускорить переход на техпроцессы уровня 10-нанометрового класса пятого поколения для DRAM и наращивать число слоев в стековой 3D NAND до четырехсот тридцати и более. В сегменте контрактного производства логики Samsung Foundry переводит мощности на транзисторную архитектуру Gate-All-Around (MBCFET) по нормам 3 и 2 нанометра, стремясь сократить разрыв с тайваньской TSMC. Параллельно ведется отработка технологии объединенной памяти Compute Express Link, которая в будущем позволит унифицировать архитектуру серверных систем для больших языковых моделей.
Инвестиционная программа синхронизирована с государственными мерами поддержки, включающими налоговые вычеты для исследовательских работ на уровне до 25 процентов и субсидирование строительства инфраструктурных объектов. В южнокорейское правительство уже направило запрос на увеличение поставок электроэнергии и водных ресурсов для будущих предприятий. Строительство выделенных линий электропередач и резервуаров сверхчистой воды рассматривается как первоочередная задача для запуска первой очереди заводов.
Помимо традиционных категорий памяти, участники кластера прорабатывают выпуск чипов для бортовых вычислителей беспилотного транспорта и нейроморфных ускорителей. Однако основной прирост загрузки мощностей в период с 2027 по 2030 год аналитики связывают с серверным направлением. По оценкам отраслевых изданий, доля HBM в общем объеме продаж DRAM к концу десятилетия может превысить 25 процентов, что требует полного пересмотра баланса производственных линий внутри кластера в сторону многослойной упаковки и интеграции кристаллов в единый корпус с интерпозером кремниевого типа.
