Что-то оперативная память моего боевого коня начала давать сбои. Об этом мне постоянно напоминают «синие экраны», а заключение утилиты MemTest не допускает разночтений – в топку. Нужно искать замену, но бюджет ограничен, а хочется, как всегда, побольше объема, да и какой же русский не любит быстрой езды, то есть оверклокинга.
Я решил не мудрить и не выкидывать лишних денег на ветер за готовые комплекты. Контроллер памяти процессоров Intel Sandy Bridge очень хорошо оптимизирован даже для работы на штатных частотах, поэтому я хотел попробовать просто нарастить объем, не обращая внимания на скорость.
Мой выбор пал на недорогие модули Samsung M378B5273DH0-CH9 объемом 4 Гбайт, продающиеся поштучно. С виду они ничем не примечательны и никак не выделяются в общей массе. Но видели бы вы мое удивление, когда при тестировании нештатных режимов работы удалось поднять частоту до 2133 и 2333 МГц при значении таймингов 10-10-10-27-1Т и 11-11-11-27-1Т соответственно. Вся прелесть в том, что для оверклокинга не пришлось даже повышать напряжения со штатного значения в 1,5 В.
Тесты проводились на разных платформах в режиме DDR3-2133. AIDA64 Cache & Memory Benchmark по показателям Read / Write / Copy продемонстрировала такие результаты на платформе Intel LGA 2011: 21 316 / 17 756 / 19 578 Мбайт/с c латентностью 44,1 нс, на Intel LGA 1155 – 21 530 / 24 483 / 26020 при латентности 38,6 нс, а с процессором AMD AM3+ – 15 420 / 10 540 / 18 980, латентность выросла до 47,0 нс.
Использовался также пакет MaxxMEMI, где в строке Reached Memory Score системы Intel LGA 2011 / Intel LGA 1155 / AMD AM3+ видим значения 20,25 / 23,40 / 11,37 Гбит/с. В приложении MaxxMEMI Multi, которое ориентировано на многопоточность, получились следующие результаты: 33,51 / 20,04 / 13,89 Гбит/с. UP
- Устройство: Samsung M378B5273DH0-CH9
- Тип: оперативная память
- Совместимость: DDR3
- Напряжение питания: 1,5 В
- Подробности: www.samsung.com