Компания Samsung Electronics приступила к отгрузке первых в отрасли тестовых образцов высокопроизводительной памяти HBM4E с двенадцатью слоями кристаллов. Данные чипы предназначены для ускорителей искусственного интеллекта нового поколения и уже направлены ключевым заказчикам, включая NVIDIA, AMD и Google. Объём одного стека составляет 48 гигабайт, что на 30 процентов больше показателей предшествующего поколения HBM4.
Техническая реализация новинки опирается на два передовых технологических процесса. Производственные специалисты задействовали DRAM-кристаллы по стандарту 1c (10-нанометровый класс шестого поколения) и логический чип на 4-нанометровой литографии собственного производства. Максимальная пропускная способность одного стека достигает 3,6 терабайта в секунду, а скорость передачи данных на один контакт варьируется от 14 до 16 гигабит в секунду, что обеспечивает прирост производительности более чем на 20 процентов относительно HBM4. Конструкторы также смогли снизить тепловое сопротивление на 14 процентов и повысить энергоэффективность на 16 процентов, что критически важно для плотных вычислительных сред.
Поставка образцов началась почти на полгода раньше обычного отраслевого темпа. Этот шаг на рынке связывают с предстоящим визитом главы NVIDIA Дженсена Хуана в Сеул после выставки Computex 2026. Аналитики рассматривают данное событие как попытку Samsung переломить ситуацию в сегменте HBM, где долгое время безраздельно доминировала SK Hynix, занимавшая по итогам четвёртого квартала 2025 года 57 процентов рынка против 22 процентов у Samsung. Особенно болезненным для корейского гиганта стал прошлогодний период, когда он не смог своевременно пройти квалификацию для поставок HBM3E и уступил лидерство в DRAM впервые за 33 года.
Компания намерена последовательно наращивать линейку продуктов. После текущих 12-слойных модулей объёмом 48 гигабайт в планах значатся версии на восемь слоёв по 32 гигабайта и на шестнадцать слоёв по 64 гигабайта. Серийное производство HBM4E начнётся после завершения квалификации образцов у клиентов. По прогнозам TrendForce, к 2027 году данная память займёт 40 процентов всего рынка HBM, в то время как SK Hynix планирует запуск массового выпуска HBM4E только на 2027 год. Применение новые чипы должны найти в следующих поколениях AI-ускорителей, в частности в системе Vera Rubin Ultra от NVIDIA, ожидаемой во второй половине следующего года.
