Компания Samsung опубликовала долгосрочный план развития собственной флеш-памяти типа NAND, рассчитанный на ближайшее десятилетие. Документ описывает поэтапный переход к созданию микросхем с беспрецедентным количеством слоёв, которое должно достигнуть отметки от 900 до 1000. Конечной практической целью этой технологической эволюции заявлен выпуск потребительских твердотельных накопителей, способных хранить до 32 ТБ данных в стандартном форм-факторе.
Дорожная карта южнокорейского гиганта формально закрепляет амбиции, которые ранее обсуждались на уровне отраслевых прогнозов. Сейчас массовое производство освоило рубеж примерно в 300 слоёв, и переход к тысячеслойной архитектуре потребует принципиально новых инженерных решений. Речь идёт не просто о механическом наращивании этажей, а о глубокой модернизации материалов и методов травления. Основная сложность заключается в сверлении сквозных отверстий через всю толщу ячеек для их вертикального соединения без повреждения соседних структур. Для этого Samsung планирует внедрять так называемое травление с высоким аспектным соотношением и новые изоляционные плёнки.
Достижение уровня в тысячу слоёв позволит многократно увеличить плотность записи информации на единицу площади кремниевой пластины. Это, в свою очередь, открывает путь к накопителям ёмкостью 32 терабайта для массового рынка. Подобные объёмы на данный момент ассоциируются либо с корпоративными серверными системами, либо с громоздкими массивами из нескольких устройств. Появление же одного компактного SSD такой вместимости способно изменить пользовательские сценарии. Хранение обширных медиатек, библиотек необработанных фотографий в RAW-форматах и сложных трёхмерных проектов непосредственно на локальной машине перестанет требовать внешних дисков или облачных подписок.
Технологической основой для рывка служит вертикальная память 3D NAND, которую Samsung когда-то первой вывела на коммерческий рынок. В рамках озвученной стратегии развитие пойдёт через смену поколений: после текущих образцов последуют чипы с четырьмя сотнями слоёв, затем рубеж в шестьсот слоёв и далее к целевой тысяче. Каждый этап предполагает уменьшение зазоров между слоями и более плотную компоновку ячеек, что напрямую увеличивает итоговую ёмкость без роста физических размеров самого чипа. Параллельно инженеры решают проблему роста помех и перекрёстного влияния электрических полей в столь тесной упаковке.
Публикация столь далеко идущих намерений — не просто декларация. Она служит сигналом для индустрии, включая производителей контроллеров памяти и разработчиков программного обеспечения, которым предстоит адаптировать файловые системы и алгоритмы работы с данными под новые масштабы. Кроме того, это задаёт темп конкурентам, которые также ведут исследования в направлении многослойных структур. Обнародованный план до конца следующего десятилетия закладывает фундамент для новой волны устройств, в которых физический носитель перестаёт быть узким местом. Грань между оперативным хранением и долговременным архивом постепенно стирается, и накопитель объёмом в тридцать два терабайта выглядит логичной ступенью на пути к компьютерам с полностью твердотельной памятью.
