2 недели назад 2 апреля 2024 в 16:09 7203

Компания Samsung Electronics раскрыла планы по выходу в развивающийся сегмент 3D DRAM, продемонстрировав передовые технологии, которые будут способствовать развитию отрасли в будущем.

После периода относительного бездействия в отрасли DRAM, когда компании боролись с финансовыми проблемами, вызванными высоким уровнем запасов и низким потребительским спросом, акцент теперь смещается в сторону исследований и разработок решений нового поколения.

Samsung сделала важный шаг, разработав собственную реализацию 3D DRAM, которая, как ожидается, будет представлена в течение следующего года. Согласно слайдам презентации, индустрия DRAM переходит к суб-10-нм линиям сжатия.

Чтобы выйти из тупика в развитии современных технологий DRAM, Samsung планирует внедрить два новых метода: Транзисторы с вертикальным каналом и стекированная DRAM. Оба подхода предполагают изменение расположения компонентов для уменьшения занимаемой площади устройства, что в конечном итоге повышает производительность.

Кроме того, Samsung намерена использовать концепцию стекированной DRAM для увеличения объема памяти. Эта технология позволяет достичь более высокого соотношения объема памяти к площади, что в будущем может привести к увеличению емкости чипов до 100 Гб.

По прогнозам, рынок 3D DRAM может вырасти до 100 миллиардов долларов к 2028 году.

Никто не прокомментировал материал. Есть мысли?