Samsung Foundry перенесла внедрение литографических систем нового поколения с высокой числовой апертурой (High-NA EUV) до старта массового выпуска микросхем по нормам 1 нм, который запланирован на 2030 год. Отраслевые источники сообщили о решении южнокорейского производителя сфокусироваться на максимальной отдаче от парка Low-NA систем (числовая апертура 0,33). Такой подход позволит компании ограничить капитальные расходы в период, когда конкуренты уже осваивают оборудование следующей технологической ступени.
Сейчас передовые техпроцессы Samsung, в том числе 2-нанометровый SF2, который готовят к выпуску, будут опираться на сканеры поколения NXE:3800E и их модификации. Для достижения субнанометровой точности на слоях, которые критичны для разрешения, инженеры применяют многократное экспонирование и прогрессивные методики коррекции оптической близости. Решение отказаться от High-NA EUV на 3-нм и 2-нм узлах продиктовано в первую очередь экономией: цена одного сканера ASML Twinscan EXE:5000 с апертурой 0,55 превышает 300 млн евро, а его инфраструктура требует больших площадей чистых комнат и повышенного энергопотребления. Системы Low-NA после модернизации обходятся дешевле в закупке и обслуживании, что особенно важно в условиях неопределенности, которая сохраняется на рынке контрактного производства чипов.
В отличие от Samsung, американская Intel уже в январе 2024 года запустила в опытную эксплуатацию первый в мире High-NA сканер на фабрике D1X в Орегоне и связывает его промышленное применение с освоением техпроцесса 14A во второй половине текущего десятилетия. Тайваньская TSMC, согласно данным индустриальных изданий, получила аналогичный инструмент в конце 2024 года, но намерена применять его в серийном производстве только после 2028 года для выпуска микросхем класса A14 (1,4 нм). Таким образом, Samsung выбирает самый консервативный среди трех лидеров отрасли путь и отодвигает инвестиции в High-NA на самое дальнее окно — узел 1 нм, который в роадмапе компании получил обозначение SF1.0.
Переход к High-NA на рубеже десятилетия совпадает с архитектурными изменениями транзисторов. Samsung планирует использовать на 1-нм платформе третье поколение собственных многоканальных структур MBCFET, а в перспективе — осваивать комплементарные транзисторы с вертикальной компоновкой каналов (CFET). Литография с числовой апертурой 0,55 позволит без чрезмерного усложнения шаблонов печатать металлические слои с шагом менее 20 нм, что критически важно для дальнейшего роста производительности и снижения энергопотребления.
До этого срока Samsung Foundry продолжит инвестировать в повышение эффективности Low-NA EUV: в том числе в новые резисты и алгоритмы расчета фотошаблонов. Параллельно компания активно внедряет технологию подачи питания с тыльной стороны пластины (BSPDN) на узле SF2. Оборудование ASML для первой волны High-NA, как ожидается, закажут ближе к концу десятилетия. К тому моменту стоимость сканеров снизится, а опыт отрасли сделает технологию более зрелой и предсказуемой.
