Компания Samsung подтвердила технические параметры высокоскоростной памяти HBM4E. Об этом сообщает профильное издание TechPowerUp. Скорость передачи данных составляет 16 Гбит/с на контакт, а максимальная пропускная способность одного стека достигает 4 ТБ/с. Базовая 12-слойная конфигурация имеет объём 48 ГБ. В планах компании также значатся варианты на 32 ГБ и 64 ГБ.
Показатель 4 ТБ/с получен на основе 2048-битной шины, которую использует стек HBM4E. Расчёт выглядит так: 16 Гбит/с на каждый из 2048 контактов дают суммарный поток 32 Тбит/с, или 4 ТБ/с. Для сравнения, память HBM3E с 1024-битной шиной и скоростью 9,6 Гбит/с обеспечивает около 1,2 ТБ/с. Базовые образцы HBM4 со скоростью 8 Гбит/с на контакт имеют пропускную способность 2 ТБ/с. Таким образом, версия HBM4E удваивает этот показатель.
Конфигурация на 48 ГБ состоит из 12 слоёв DRAM. Каждый кристалл имеет ёмкость 32 Гбита, что соответствует 4 ГБ на слой. При той же ёмкости кристалла объёмы 32 ГБ и 64 ГБ соответствуют 8- и 16-слойной компоновке. Samsung не приводит точные сроки выпуска этих версий. Первоначально компания предлагает только 12-слойный стек. Он предназначается для ускорителей искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.
HBM4 является следующим поколением стековой памяти после HBM3E. Основные поставщики — SK hynix, Samsung и Micron — уже представили первые образцы HBM4. SK hynix ранее анонсировала 12-слойные стеки HBM4 объёмом 36 ГБ и скоростью 8 Гбит/с на контакт. Samsung в ответ расширяет линейку модификацией HBM4E, которая увеличивает как скорость, так и доступный объём на стек. Память этого класса используется в серверных GPU и специализированных ASIC для обучения больших моделей.
Повышение скорости до 16 Гбит/с на контакт требует более строгого контроля целостности сигнала и теплоотвода. В 12-слойной компоновке тепловая нагрузка растёт, поэтому производители применяют гибридное соединение кристаллов и улучшенные материалы подложки. Спецификации JEDEC для HBM4 описывают удвоение ширины шины данных до 2048 бит. Версия HBM4E выходит за пределы базового стандарта по скорости передачи, но сохраняет интерфейсную совместимость.
При заявленных параметрах стек HBM4E обеспечивает до 4 ТБ/с. В конфигурации с четырьмя или восемью стеками на ускоритель суммарная пропускная способность достигает 16 или 32 ТБ/с. Такие показатели важны для рабочих нагрузок с большими объёмами параметров. Серийные поставки базового HBM4 в отрасли ожидаются в 2025–2026 годах. Для модификации HBM4E компания Samsung отдельный график не уточняет.
