Компания Samsung Electronics на конференции ISSCC 2025, которая прошла в Сан-Франциско с 16 по 20 февраля, представила обновленную дорожную карту памяти для высокопроизводительных вычислений. Основные анонсы касались поколения HBM5 и перспективной архитектуры zHBM. По данным TechPowerUp, HBM5 получит базовый кристалл на собственном 2-нм техпроцессе Samsung и обеспечит двукратный прирост производительности относительно HBM4E.
Поколение HBM5 рассматривается как следующий этап после HBM4 и HBM4E. Базовый кристалл в стеке HBM выполняет функции управления и обмена данными с хост-процессором. Перевод этого кристалла на 2-нм нормы позволяет разместить больше логики, улучшить энергопотребление и увеличить скорость интерфейса. Техпроцесс Samsung Foundry класса 2 нм использует транзисторы с круговым затвором GAA, что дает более точное управление током по сравнению с FinFET. Для сравнения, текущий интерфейс HBM4 имеет разрядность 2048 бит против 1024 бит у HBM3E, а серийные стеки HBM3E достигают скорости 9,6 Гбит/с на вывод и пропускной способности более 1,1 Тбайт/с. HBM4E должна продолжить рост этих показателей. Samsung не раскрыла полные спецификации HBM5, однако заявленный ориентир составляет удвоение производительности по сравнению с HBM4E. Такие характеристики важны для ускорителей искусственного интеллекта, где пропускная способность памяти ограничивает масштабирование моделей.
Вторая часть презентации была посвящена zHBM. Эта архитектура предполагает вертикальное размещение модулей памяти непосредственно поверх процессора или ускорителя. При такой компоновке сокращается расстояние между вычислительными блоками и памятью, что снижает задержки и потери энергии при передаче данных. На практике подобная компоновка может упростить подсистему питания и сократить число внешних соединений. В анонсе указано, что zHBM может дать восьмикратный прирост производительности. Решение ориентировано на будущие корпуса с высокой плотностью монтажа, но сроки коммерческого выпуска не названы.
Дорожная карта Samsung согласуется с планами других производителей памяти. SK hynix и Micron разрабатывают HBM4 и HBM4E для ускорителей следующего поколения. Массовые поставки HBM4 ожидаются в 2026–2027 годах, после чего отрасль перейдет к HBM4E. Samsung, по данным профильных изданий, также готовит HBM4 в 2025 году и позднее HBM4E. Спрос на HBM в 2025 году растет вместе с расширением парка ускорителей для искусственного интеллекта и специализированных ASIC. По отраслевым оценкам, доля памяти с высокой пропускной способностью увеличивается в поставках DRAM.
