Полупроводниковый гигант Samsung раскрыл свои планы по разработке передовых решений для хранения данных и памяти. В ближайшие годы компания намерена расширить границы технологий вертикальной NAND (V-NAND) и новой DRAM.
Согласно недавнему отчету Korean Economic Daily, Samsung намерена значительно увеличить количество слоев в своей технологии V-NAND. Следующее поколение V-NAND 10-го поколения, выпуск которого ожидается в 2026 году, будет иметь 400-слойную конфигурацию, что на 43 % больше, чем у нынешней V-NAND 9-го поколения, которая имеет 280 слоев.
Для достижения такого значительного количества слоев Samsung применит новую технологию Bonding Vertical (BV) NAND, которая отличается от текущей конструкции Circuit on Periphery (CoP). Подход BV предполагает раздельное производство схем хранения и периферийных устройств с последующим вертикальным склеиванием. Этот метод призван уменьшить повреждения микросхем в процессе укладки и обеспечить повышение плотности битов почти на 60 %, что приведет к значительному увеличению емкости памяти.
Однако амбиции Samsung на этом не заканчиваются. Компания стремится достичь 1000 слоев V-NAND, что, вероятно, будет достигнуто с 11-м поколением V-NAND, которое ожидается примерно после 2027 года. Увеличение количества слоев в 2,5 раза позволит повысить скорость ввода/вывода (I/O) на 50 %.
Что касается DRAM, то в ближайшие годы Samsung планирует выпустить более быстрые и совершенные DRAM-продукты. Компания начнет выпуск DRAM на базе 1c нм в 2025 году, затем 1d нм DRAM в 2026 году и, наконец, 0a нм (<10 нм) DRAM в 2027 году. В DRAM 0a nm будет использоваться технология Vertical Channel Transistor (VCT), позволяющая создавать 3D DRAM за счет вертикального расположения транзисторов, что поможет уменьшить помехи от соседних ячеек.
Ожидается, что эти достижения в технологиях V-NAND и DRAM значительно повысят производительность, емкость и надежность будущих решений для хранения данных и памяти.
