Компания Samsung Electronics объявила о разработке использующего 12-нм техпроцесс 32-гигабайтного чипа DRAM «32Gb DDR5 DRAM». Это первая в мире DRAM, которая обеспечивает однокристальную емкость 32 ГБ.
По сравнению с 16-гигабайтной DDR5 DRAM, массовое производство которой началось в мае этого года, 32Gb DDR5 DRAM может обеспечить вдвое большую емкость при том же размере корпуса. По словам компании, это «технология, открывающая путь к производству модулей DRAM емкостью 1 ТБ». Стоит отметить, что разработав свою первую 64-килобитную DRAM в 1983 году, компания Samsung за последние 40 лет сумела увеличить емкость своей DRAM в 500 000 раз.
Ранее для модулей DRAM DDR5 емкостью 128 ГБ, изготовленных с использованием DRAM объемом 16 ГБ, требовался процесс Through Silicon Via (TSV). Однако благодаря использованию 32-Гбайт DRAM от Samsung модуль 128 ГБ теперь можно производить без использования процесса TSV, при этом энергопотребление снижается примерно на 10% по сравнению с модулями 128 ГБ с 16 ГБ DRAM.
Массовое производство новой 32-гигабайтной 12-нм памяти DDR5 DRAM Samsung планирует начать к концу этого года.
