Компания Samsung Electronics разработала память DDR5 DRAM, производство которой осуществляется по техпроцессу 12 нм. Память уже прошла проверку на совместимость с чипсетами AMD. Samsung сообщает, что скорость передачи данных у новой памяти достигает 7,2 Гбит/с.
Анонсированные чипы памяти DDR5 DRAM имеют емкость 16 Гбит, в ней используется некий новый диэлектрик с высокой проницаемостью, что позволяет увеличить емкости ячейки. За счет сочетания запатентованных технологий, новой схемотехники и усовершенствованной многослойной литографии в глубоком ультрафиолете (EUV) производителю удалось достичь самой высокой в отрасли плотности кристаллов, в результате чего производительность памяти повышена на 20%. Потребляемая мощность при этом снижена на 23%.
Массовое производство планируется запустить в 2023 году.
