Компания Samsung приступила к этапу пробных поставок новых чипов памяти GDDR7 с рекордной скоростью передачи данных. Эти микросхемы демонстрируют пропускную способность на уровне 36 Гбит/с и обладают плотностью 24 Гбит, что эквивалентно 3 ГБ на один чип. Такие параметры ориентируют продукт на применение в графических ускоритах следующего поколения, где ключевое значение имеют как объем видеопамяти, так и ее быстродействие.
Параллельно с самыми быстрыми модулями Samsung наладила массовый выпуск другой версии памяти GDDR7. Эти чипы также имеют емкость 3 ГБ, но работают на скорости 28 Гбит/с. Информация о начале массового производства модулей по 3 ГБ стала первым официальным подтверждением существования такой конфигурации. Отраслевые наблюдатели связывают этот шаг с подготовкой к выходу обновленной линейки графических процессоров NVIDIA под индексом SUPER.
Для сегмента среднего уровня производитель предлагает к тестированию модули GDDR7 со скоростью 32 Гбит/с и емкостью 3 ГБ. Однако аналитики предполагают, что производители видеокартов первоначально отдадут предпочтение решениям на 28 Гбит/с. Более скоростные чипы на 32 и 36 Гбит/с, вероятно, найдут применение в профессиональном сегменте, например, в картах для визуализации NVIDIA RTX PRO серии. Модули по 3 ГБ уже используются в графическом процессоре NVIDIA RTX PRO 6000 на архитектуре Blackwell.
Недавнее обновление профессиональной карты NVIDIA RTX PRO 5000 Blackwell демонстрирует практическое применение таких чипов. Объем видеопамяти в этой модели увеличился с 48 ГБ до 72 ГБ. Для достижения этого показателя на плату установили 24 модуля памяти, что при емкости каждого чипа в 3 ГБ в сумме дает заявленные 72 ГБ. Этот пример иллюстрирует, как новая плотность чипов позволяет производителям гибко наращивать объем памяти в своих продуктах без увеличения физического количества микросхем на печатной плате.
