Производственные линии строящегося предприятия Samsung Foundry в Тейлоре (штат Техас, США), известного как Taylor Fab 2, полностью распределены между заказчиками. Ключевым партнером, забронировавшим большую часть квот на выпуск продукции, стала компания AMD. Основной задачей нового завода станет изготовление базовых логических кристаллов для памяти типа HBM (High Bandwidth Memory) с применением 2-нанометрового технологического процесса.
Предприятие Taylor Fab 2 представляет собой вторую очередь полупроводникового комплекса Samsung в Тейлоре. Изначально корпорация инвестировала в проект около 17 миллиардов долларов, однако общая сумма капиталовложений с учетом инфляции и расширения инфраструктуры превысила 25 миллиардов долларов. Строительство ведется с отставанием от графика, а старт массового производства смещен с 2024 на 2026 год. Несмотря на задержки, портфель заказов на техпроцесс SF2 (Samsung Foundry 2nm) оказался сформирован задолго до запуска конвейера. Помимо AMD, интерес к размещению заказов проявляют другие крупные разработчики чипов, включая Qualcomm, однако именно AMD фигурирует в отраслевых отчетах как доминирующий клиент первой волны.
Техническая специфика сотрудничества заключается в архитектуре памяти HBM четвертого поколения (HBM4), где применяется компоновка на основе базового логического кристалла (Base Die). В отличие от предыдущих поколений HBM, где использовался относительно простой буферный кристалл, стандарт HBM4 требует наличия полноценного логического слоя с интегрированной логикой управления памятью и интерфейсом связи с графическим или центральным процессором. Производство именно этих компонентов по техпроцессу класса 2 нм позволяет радикально повысить плотность транзисторов и снизить энергопотребление интерфейсной логики.
Выбор Samsung в качестве подрядчика для изготовления базовых кристаллов HBM4 продиктован особенностями технологической конкуренции. Собственные производственные линии TSMC, традиционного партнера AMD по выпуску центральных и графических процессоров, загружены заказами на кристаллы N3 и N2 для ускорителей вычислений и центральных процессоров. Кроме того, Samsung активно внедряет транзисторы с круговым затвором (Gate-All-Around, GAA) в поколении SF2, что обеспечивает лучший контроль токов утечки по сравнению с архитектурой FinFET, используемой конкурентом на стадии перехода к 2-нм нормам.
Сотрудничество с AMD критически важно для Samsung Foundry, которая испытывает трудности с выходом годных кристаллов на передовых узлах. По данным отраслевых источников, уровень выхода годной продукции на 3-нм техпроцессе Samsung долгое время не превышал 20 процентов, что привело к оттоку крупных клиентов в пользу TSMC. Контракт с AMD на изготовление относительно небольших по площади кристаллов Base Die для HBM4 позволяет Samsung отработать стабильность 2-нм техпроцесса на изделиях с менее жесткими требованиями к площади сплошного кремния, чем у многомиллиардных систем-на-кристалле.
Для AMD размещение заказа на мощностях Samsung служит инструментом диверсификации цепочки поставок. Ускорители серии Instinct, ориентированные на рынок искусственного интеллекта, критически зависят от доступности памяти HBM. Использование 2-нм базовых кристаллов Samsung в стековой сборке HBM4 позволит снизить зависимость от монополии TSMC на передовую логику и потенциально улучшить тепловые характеристики интерфейса памяти. Сборка финальных модулей HBM4 будет осуществляться на предприятиях SK hynix и Micron, которые являются основными производителями стеков DRAM, в то время как Samsung Foundry выступает в роли поставщика ключевого логического компонента для этих сборок. Таким образом, завод Taylor Fab 2 встраивается в глобальную цепочку создания ускорителей вычислений следующего поколения.
