Крупнейшие производители памяти SK Hynix и Samsung официально раскрыли планы по выпуску своих будущих продуктов (роадмап) на недавней конференции SEMICON Korea 2024. SK Hynix сообщила, что планирует начать массовое производство памяти нового поколения High Bandwidth Memory 3E (HBM3E) в первой половине 2024 года. Компания отметила, что уже предоставила клиентам образцы 8-слойных стеков новой памяти. Ожидается, что HBM3E обеспечит значительное увеличение пропускной способности данных, предлагая до 1,2 терабайт в секунду на стек.
Также SK Hynix сообщила, что начала разработку HBM4, а выпуск образцов этой памяти для клиентов запланирован на 2025 год, а массовое производство — на 2026 год. В новой памяти будет использоваться 2048-битный интерфейс, а скорость передачи данных составит 6 гигабит в секунду, что теоретически обеспечит пропускную способность более 1,5 терабайт в секунду на стек.
Samsung также сообщила о планах начать тестирование и массовое производство HBM4 в 2025 и 2026 годах соответственно. Один из руководителей компании отметил, что более половины продаж HBM Samsung приходится индивидуальные решения для конкретных клиентов. Компания видит возможность дальнейшей оптимизации HBM4 для индивидуальных приложений клиентов за счет логической интеграции.
Поскольку технологии искусственного интеллекта продолжают стремительно развиваться, инноваторы в области памяти должны работать над тем, чтобы их решения не отставали от требований ИИ. С HBM3E на грани запуска и HBM4 в разработке, SK Hynix и Samsung предпринимают шаги для обеспечения достаточной пропускной способности памяти в будущем.
