Южнокорейская компания SK hynix объявила о начале массового производства флеш-памяти NAND с 321 активным слоем. Новая разработка использует технологию QLC (quad-level cell) и обладает емкостью 2 Тбит на кристалл. Это первое в мире серийное решение с количеством слоев более 300.
Продукт разработан для повышения cost-конкурентоспособности и имеет удвоенную емкость по сравнению с существующими решениями. Для компенсации потенциального снижения производительности в больших массивах памяти компания увеличила количество плоскостей (planes) с четырех до шести внутри одного кристалла. Это позволяет обеспечить более высокую степень параллельной обработки данных.
Показатели скорости передачи данных увеличились в два раза по сравнению с предыдущими поколениями QLC NAND. Производительность записи выросла на 56%, а скорость чтения улучшилась на 18%. Энергоэффективность операций записи повысилась более чем на 23%, что особенно важно для дата-центров искусственного интеллекта.
Компания планирует использовать новую память сначала в SSD-накопителях для персональных компьютеров, а затем расширить применение до корпоративных SSD для центров обработки данных и UFS-решений для смартфонов. Технология 32DP3 позволяет одновременно размещать 32 кристалла NAND в едином корпусе.
SK hynix намерена выйти на рынок сверхъемких enterprise SSD для AI-серверов с удвоенной плотностью размещения данных. Массовое производство началось после завершения разработки, а коммерческая доступность продукции ожидается в первой половине следующего года после завершения валидации у глобальных заказчиков.
