SK hynix начинает поставки 12-слойной памяти HBM4

Компания SK hynix приступила к отгрузке образцов новой памяти HBM4 для систем искусственного интеллекта. Память построена по 12-слойной архитектуре и будет доступна для массового производства во второй половине текущего года.

Технические характеристики HBM4:

• Пропускная способность: более 2 ТБ/с (эквивалент обработки 400 HD-фильмов по 5 ГБ за секунду)
• Увеличение скорости на 60% по сравнению с предыдущим поколением HBM3E
• Емкость: 36 ГБ на модуль
• Использование процесса Advanced MR-MUF для улучшения теплоотвода и стабильности чипов

История развития HBM от SK hynix:

• 2022 год: начало массового производства HBM3
• 2024 год: запуск 8- и 12-слойной памяти HBM3E
• 2025 год (2-я половина): планируемый старт массового производства 12-слойной HBM4

В настоящее время компания начала процесс сертификации HBM4 у ключевых клиентов. Новая память использует проверенные производственные технологии, которые уже применялись в предыдущих поколениях продуктов HBM.

Джастин Ким, президент и руководитель подразделения AI Infra в SK hynix, подтвердил готовность компании к началу сертификации характеристик и подготовке массового производства.