Южнокорейская компания SK Hynix разрабатывает новое поколение флэш-памяти NAND с беспрецедентным количеством слоев — 400. Согласно отраслевым источникам, на которые ссылаются корейские СМИ, компания планирует начать массовое производство этих передовых чипов NAND к концу 2025 года.
Для достижения этой цели SK Hynix сотрудничает со своими партнерами по цепочке поставок для разработки необходимых технологий и оборудования. Ключевым моментом в этом начинании является использование технологии гибридного склеивания, которая предполагает соединение различных пластин с помощью различных методов, таких как полировка, травление, осаждение и проводка.
Такой подход отличается от применяемого компанией SK Hynix метода «периферийных ячеек» (Peripheral Under Cell, PUC), при котором ячейки памяти укладываются непосредственно поверх периферийной области приводной цепи. Гибридная технология склеивания, известная как структура «от пластины к пластине» (W2W), направлена на решение проблем, связанных с увеличением количества слоев, таких как потенциальное повреждение периферийных компонентов из-за высокого нагрева и давления в процессе укладки ячеек.
Тенденция к увеличению количества слоев NAND характерна не только для SK Hynix. Другие крупные производители полупроводников также расширяют границы технологии 3D NAND. Например, компания Samsung недавно начала массовое производство 290-слойной V-NAND и намерена достичь более 1000 слоев к 2030 году. Micron выпустила продукт с 276-слойной 3D NAND в июле, а Kioxia достигла 218 слоев в 2023 году и предполагает, что 1 000 слоев может быть достигнуто к 2027 году.
Для сравнения, SK Hynix продемонстрировала 321-слойный образец NAND в августе 2023 года, что свидетельствует о ее постоянных усилиях оставаться в авангарде этой технологической гонки. Цель компании — достичь 400 слоев к концу 2025 года — представляет собой значительную веху в стремлении к созданию более плотной и экономичной флэш-памяти NAND.
