Компания SK hynix, известный производитель памяти, представила на выставке GTC 2024 модули памяти GDDR7 нового поколения. Эти усовершенствованные модули обеспечивают скорость передачи данных до 40 Гбит/с, что позволяет достичь максимальной пропускной способности 160 ГБ/с на модуль, что превосходит базовый стандарт GDDR7 — 32 ГБ/с и 128 ГБ/с.
Стандарт GDDR7 способен обеспечить значительное увеличение объема и пропускной способности памяти. Хотя первое поколение продуктов GDDR7, как ожидается, будет использовать емкость 16 Гб (2 Гб VRAM) с матрицами 28 Гб/с, будущие итерации будут расширять границы. Компания SK hynix продемонстрировала модули емкостью до 24 Гб (3 Гб VRAM) и скоростью передачи данных 40 Гбит/с.
Samsung, еще один известный игрок на рынке памяти, также представил свои модули памяти GDDR7 на GTC 2024, продемонстрировав модули емкостью 16 Гб со скоростью 32 Гбит/с и модули со скоростью вывода до 37 Гбит/с.
Спецификации JEDEC подтверждают, что в конечном итоге скорость GDDR7 достигнет 48 Гбит/с, а плотность — 64 Гб (объем VRAM 8 Гб). Это означает значительное увеличение емкости видеопамяти, поскольку 256-битный стандартный интерфейс обеспечивает емкость до 64 Гб.
В настоящее время максимальная емкость, достижимая при использовании 256-битного интерфейса шины и модулей DRAM объемом 16 Гб, составляет 16 Гб, а модули DRAM объемом 24 Гб позволяют увеличить этот показатель до 24 Гб.
Однако не ожидается, что эти более высокие скорости и емкости будут доступны сразу. Такие спецификации могут стать доступными только после 2026-2027 годов.
Для первого поколения памяти на базе GDDR7 ожидаются следующие конфигурации:
- 512 бит / 28 Гбит/с / 32 ГБ (максимальный объем памяти) / 1792 ГБ/с (максимальная пропускная способность)
- 384 бит / 28 Гбит/с / 24 ГБ (макс. память) / 1344 ГБ/с (макс. пропускная способность)
- 256 бит / 28 Гбит/с / 16 ГБ (макс. память) / 896,0 ГБ/с (макс. пропускная способность)
- 192-бит / 28 Гбит/с / 12 ГБ (макс. память) / 672,0 ГБ/с (макс. пропускная способность)
- 128 бит / 28 Гбит/с / 8 ГБ (макс. память) / 448,0 ГБ/с (макс. пропускная способность)
Когда продукты SK hynix DRAM с пропускной способностью 40 Гбит/с и 24 Гбит/с GDDR7 станут доступны, ожидаются следующие конфигурации:
- 512 бит / 40 Гбит/с / 48 ГБ (максимальная память) / 2560 ГБ/с (максимальная пропускная способность)
- 384 бит / 40 Гбит/с / 36 ГБ (макс. память) / 1920 ГБ/с (макс. пропускная способность)
- 256 бит / 40 Гбит/с / 24 ГБ (макс. память) / 1280 ГБ/с (макс. пропускная способность)
- 192-бит / 40 Гбит/с / 18 ГБ (макс. память) / 960,0 ГБ/с (макс. пропускная способность)
- 128-бит / 40 Гбит/с / 12 ГБ (макс. память) / 640,0 ГБ/с (макс. пропускная способность).
Кроме того, SK hynix продемонстрировала модули DDR5 MCR DIMM емкостью до 64 ГБ на модуль со скоростью до 8800 МТ/с и напряжением 1,1 В.
