SK Hynix сообщила некоторые подробности о своих чипах оперативной памяти LPDDR5X, которые производятся с использованием процесса под названием HKMG (High-K Metal Gate). Эти чипы обладают увеличенной пропускной способностью и пониженным энергопотреблением, и предназначены для портативных компьютеров и смартфонов.
SK Hynix использует в своих чипах материал с высокой диэлектрической проницаемостью в изолирующей пленке внутри транзисторов DRAM, что позволило снизить энергопотребление памяти на 25 процентов по сравнению с LPDDR5. Для сравнения, оперативная память Samsung LPDDR5X снизила энергопотребление на 20 процентов , обеспечив те же 8,5 Гбит/с.
Новая оперативная память LPDDR5X работает в сверхнизком диапазоне напряжений от 1,01 до 1,12 В, установленном JEDEC. Скорости у этой памяти на 33% выше, чем у LPDDR5.
