Компания SK hynix объявила о создании первой в отрасли памяти DDR5 DRAM объемом 16 Гб, построенной с использованием узла 1c, шестого поколения 10 нм техпроцесса. Это событие знаменует собой значительный прогресс в технологии памяти, поскольку компания преодолевает трудности, связанные с масштабированием технологии DRAM в диапазоне 10 нм.
Новая 16-гигабайтная память DDR5 DRAM, разработанная с использованием узла 1c, предлагает несколько ключевых улучшений. Ее рабочая скорость увеличилась на 11 % по сравнению с предыдущим поколением и достигла 8 Гбит/с. Кроме того, энергоэффективность была повышена более чем на 9 %, что потенциально может привести к снижению затрат на электроэнергию для центров обработки данных на 30 %, особенно с учетом того, что развитие технологий искусственного интеллекта приводит к росту энергопотребления.
1c DDR5 DRAM была оптимизирована за счет использования нового материала в некоторых процессах технологии экстремального ультрафиолетового излучения (EUV). Кроме того, компания повысила производительность более чем на 30 % за счет технологических инноваций в дизайне.
SK hynix планирует подготовиться к массовому производству 1c DDR5 DRAM в течение года, а объемные поставки должны начаться в следующем году. Компания заявила, что будет применять технологию 1c в своих основных продуктах следующего поколения, включая HBM, LPDDR6 и GDDR7, чтобы обеспечить дифференцированную ценность для своих клиентов.
